二极管电压倍增（二极管电压倍增什么意思）
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BE倍增电路的工作原理是什么?尤其是那个三极管起的作用
那个三极管不是用于放大的，我是把它当成两个方向相反的二极管串联来理解的，静态时它能与电阻一起让Uce的电压刚好是Ube的倍增，对于动态，这两个二极管等效成小电阻。
搞电路多年没什么印象有这个Ube倍增电路，但根据的说的意思理解，似乎是指通过提高Rb（就是串到三极管基极的电阻）来减小由于温度对Ube的影响而过多的改变Ib，因为Ib=（Ub-Ube）/Rb，如果UbUbe，那么Ube的改变对Ib的影响就很小。
VT4的作用：为末级VTVT3提供一个固定的BE结偏置，使其静态时轻微导通，故可克服交越失真。对于该电路，通常VTVT3两个BE结导通电压=0.65*2=3V，VT4和R1R2的作用，即可保证VT1的集电极电流随输入信号变化时，末级两个B级间的电压恒为3V。
雪崩二极管APD倍增因子M的计算公式
1、APD倍增因子M的计算公式很多，一个常用的公式为 M=1/1-（v/vB）n 式中： n 是由P-N 结材料决定的常数； V B 为理想反向偏压； V 为反向偏压的增加值。对于Si 材料，n = 5 ～ 4 ；对于Ge 材料n = 5～8 。
2、年，K.G.麦克凯和K.B.麦卡菲的实验报告了锗和硅PN结在接近击穿时光电流的显著增加。1955年，S.L.密勒进一步指出，突变PN结中，载流子的倍增因子M与反向偏压V有关，可以用经验公式M = 1/[1-（V/VB）n]描述，其中VB是体击穿电压，n是材料特性和注入载流子类型的函数。
3、年，S.L.密勒指出在突变PN结中，载流子的倍增因子M随反向偏压V的变化可以近似用下列经验公式表示M=1/[1-（V/VB）n]式中VB是体击穿电压，n是一个与材料性质及注入载流子的类型有关的指数。当外加偏压非常接近于体击穿电压时，二极管获得很高的光电流增益。
4、式中q为电子电荷，B为器件工作带宽，F（嚔）表示雪崩倍增过程所引起噪声的增加，称为过剩噪声因子。一般情况下，F随嚔的变化情况相当复杂。有时为简单起见，近似地将F表示为F＝嚔x，x称为过剩噪声指数。F或x是雪崩光电二极管的重要参数。
5、年，S.L.密勒指出在突变PN结中，载流子的倍增因子M随反向偏压V的变化可以近似用下列经验公式表示 M=1/[1-（V/VB）n] 式中VB是体击穿电压，n是一个与材料性质及注入载流子的类型有关的指数。当外加偏压非常接近于体击穿电压时，二极管获得很高的光电流增益。
光电二极管和光电倍增管的区别?
其次应用范围不同。这个就很明白了，凡是用到微弱光探测的地方一般都用光电倍增管，比如一些伽马相机，放射源的探测，等等。而光电二极管的应用在原理中已简单交待，不再赘述。
应用范围不同：由于光电倍增管在微弱光检测方面的优势，它常用于伽马相机、放射源探测等领域。而光电二极管的应用范围相对广泛，其原理已在上述说明中简要提及。 生产厂家：光电二极管是一种常见的光电元件，全球有许多生产厂家。相比之下，光电倍增管的生产厂家非常少。
光电倍增管是探测微弱光领域，放大倍数可高达108！精度可以达到测量到单光子的程度，通常脉冲方式工作。但是不能直接在强光下工作需要加滤光片，不然会因光电流过大而永久性损坏，价格昂贵。
光电二极管和光电倍增管。光电二极管是一种将光能转换为电能的器件，用于检测光栅所产生的光信号。光电倍增管是一种能够将微弱光信号转换为强电信号的器件，用于光谱仪、荧光分析等领域。
光电二极管是一种将光能转化为电能的器件，其内部结构由PN结构组成，当光照射到PN结上时，产生电流。光电倍增管是一种将光能转化为电能并放大的器件，其内部结构由光阴极、一系列倍增极和阳极组成，通过光电效应和倍增效应将光信号放大。
