场效应管放大电压（场效应管的作用是电压放大）

频道：其他 日期： 浏览：199

本文目录一览：

结型场效应管电压放大倍数

1、结型场效应管电压放大倍数。放大倍数AV是输入输出电阻决定了得出的。如输入电阻Ri=7M，RD=5K。放大倍数应为AV=7X5=-35gmK。

2、通过对实验箱上结型场效应管的测试认识N沟道J EET场效应管的电压放大特性和开关特性。给MOS管放大电路加输入信号为：正弦波Vpp=200mV-500mV， f=2Khz o 测量输入电阻时输入端的参考电阻R s=680K。

3、放大倍数，不同的电路图，求法不同。有一种电路放大倍数=跨导*Rd；还有一种=Rd/Rs。具体情况你可以看一下小日本写的《晶体管电路设计（下）》，书写的非常好，简单易懂。至于偏置，最好采用电阻分压的方法，这样比较稳定。

4、N结型场效应管工作在放大区的必要条件：GS两端的电压小于0，DS端电压大于0。（P型则GS端电压大于0，DS端电压小于0）N绝缘型场效应管的放大工作必要条件为：GS端电压大于0，DS端电压大于0。（P型相反）在过渡层由于没有电子、空穴的自由移动，在理想状态下几乎具有绝缘特性，通常电流也难流动。

5、RS=47K欧姆，RL=20-30K欧姆，电源电压ED=20伏 静态工作点：因为UGS=-IDRS，所以在转移特性曲线上，源极负载线是通过原点，斜率为tga=-1/RS的一条直线。源极负载线与转移特性的交点Q就是场效应管的静态工作点。Q点参数：ID=0.05毫安，UGS=-0.25伏。

场效应管计算放大倍数

放大倍数，不同的电路图，求法不同。有一种电路放大倍数=跨导*Rd；还有一种=Rd/Rs。具体情况你可以看一下小日本写的《晶体管电路设计（下）》，书写的非常好，简单易懂。至于偏置，最好采用电阻分压的方法，这样比较稳定。

结型场效应管电压放大倍数。放大倍数AV是输入输出电阻决定了得出的。如输入电阻Ri=7M，RD=5K。放大倍数应为AV=7X5=-35gmK。

计算。但要注意计算时Us要用静态工作点处之数值。输入电阻的测量方法 场效应管放人器的静态工作点、电压放人倍数和输出电阻的测量方法与实验二 1/5页 中晶体管放大器的测量方法相同。

场管用电压来驱动这个阀门（栅极），实际上的效果就是：一个小的电压值就驱动了（或叫转换成）一个大的电流值。小电压和大电流之间的比值就是放大倍数，场管里叫“跨导”单位叫“西门子”。使用场管的优势就是：驱动主要靠电压，所以对驱动的电流要求低，换句话说就是输入阻抗高。

场效应管及其放大电路分析

动态分析 FET的低频等效电路与双极型三极管相似，都可以用受控电流源等效，只是输入电阻rgs很大，通常作为开路处理。场效应管（FET）路放大电路有共源极、共漏极和共栅极三种接法，对于每一种接法的电路，求解AV、Ri和Ro等放大性能指标的方法与双极型三极管放大电路类似。

核实下，场效应管的参数有没有问题？不然算出的静态工作点位置不太适合放大。运用的公式是；Vgs=Vcc*RG1/（RG1+RG2）-IdRs=5-1kId Id=gmVgs 以上两式子解出的Id不太合适，因为Uds太小了，因此建议减小Rg2。

场效应管放大电路的优点是：（1）输入电阻大。

场效应管在电路中起到放大、开关和调节电流的作用。具体来说，场效应管可以实现以下功能：信号放大：场效应管可以作为放大器件，通过调节栅极电压来控制漏极和源极之间的电流，从而实现信号的放大。在放大器电路中，场效应管可以将输入信号放大到更大的幅度，以实现信号增强和传输。

一个射频（RF）放大器可以具有其最大功率传输的阻抗，音频和仪表放大器通常优化输入和输出阻抗，以使用最小的负载并获得最高的信号完整性。

怎样判断场效应管是否处于放大工作状态

1、判断mos工作在放大区，饱和区，截止区，击穿区。以结型N沟道场效应管为例：输出特性曲线中，场管的工作区域分成了三个部分：可变电阻区（对应三极管的饱和区），恒流区（对应三极管的放大区），夹断区，也叫截止区（对应三极管的截止区）。

2、测试场效应管好坏的第一步是检查其导通状态。在测试之前，我们需要将场效应管正确连接到电路中并确保正常工作。然后，使用测试仪器测量场效应管的漏极和源极之间的电阻值。如果电阻值接近零或非常小，表明场效应管导通正常。如果电阻值非常大或无穷大，表示场效应管处于关闭状态。

3、一楼拼命地从网上拷贝，不过粗粗一看，没一句话说到点子上的。FET管处于放大状态，要求很简单，就是要想办法让管子处于饱和区（FET的饱和区与三极管的饱和区定义完全不同，相当于三极管的放大区）。严格的说有两个条件：保证FET管导通；使管子处于饱和区，不同类型管子不一样。

4、NPN管判断方法如下：截止状态：Ube0.7V； （如果是锗管则Ube0.3V）放大状态：Ube0.7V，UceUbe；饱和状态：Ube0.7V，UceUbe。你的图（d）中，三极管是NPN。 Ube=75-10=0.75V ；Uce=3-10=0.3V 。这样， Ube0.7V，UceUbe，所以此三极管工作在饱和状态。

5、场效应管放大电路工作在放大状态。场效应管工作原理用一句话说，就是“漏极-源极间流经沟道的ID，用以栅极与沟道间的pn结形成的反偏的栅极电压控制ID”。更正确地说，ID流经通路的宽度，即沟道截面积，它是由pn结反偏的变化，产生耗尽层扩展变化控制的缘故。

场效应管是放大电压,是指漏极电压随着栅极电压增大而成倍增大吗?_百度...

是的，MOS管栅极电压越高，RDSN（漏源电阻）越大。首先，我们需要了解MOS管（金属氧化物半导体场效应管）的基本工作原理。MOS管是一种电压控制器件，其导通状态主要受栅极电压控制。当栅极电压高于某个阈值电压时，MOS管开始导通，漏极和源极之间形成导电沟道。

功率放大器使用场效应管的时候，控制电流的引脚为栅极G，被控制的电流从漏极D流过源极S.栅源极间有很小的电压变化，漏源极就会有很大的电流变化，这样一来电流或电压的变化情况就被放大了。

漏极电流Id与漏源电压Vds和栅源电压Vgs皆有关系。以N沟道增强型MOS管为例：当Vgs一定时，Id随Vds的增大出现先增大再恒定最后激增的现象；当VgsVgsth增加时，Id也随之呈增大趋势。以上是宏观特性，其微观特性依据沟道间导电层的厚度决定。

当栅极电压改变时，沟道内被感应的电荷量也改变，导电沟道的宽窄也随之而变，因而漏极电流ID随着栅极电压的变化而变化。 场效应管的式作方式有两种：当栅压为零时有较大漏极电流的称为耗散型，当栅压为零，漏极电流也为零，必须再加一定的栅压之后才有漏极电流的称为增强型。

在场效应管之中，Vgs产生的电场能控制从S到D的电导。你说的栅和漏之间的电压，就是漏和源电压减去栅和源之间的电压了。在这里要以S作为基准点才对。所以，Vgs的电压能够控制S-D电导，电压越高，电导越大。并且Vsd越高，Isd也就越高。

结型场效应晶体管（Junction Field-Effect Transistor，JFET）：JFET是由p-n结栅极（G）与源极（S）和漏极（D）构成的一种具有放大功能的三端有源器件。其工作原理就是通过电压改变沟道的导电性来实现对输出电流的控制。