mos管导通电压（晶闸管的导通条件）
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mOS管导通后的Vgs是多少?和刚满足导通条件时的电压有什么关系
MOS管导通后的Vgs电压始终为该管的开启电压，和刚满足导通条件时比较，导通后随着源极S电位的升高，Vg电压也要升高，在漏极电流不变的的情况下Vgs是个常数。N沟道与P沟道是不一样的。如N沟道管，导通后Vgs与“偏置”电路有关，与其他无关。Vgs越大则导通电阻越小。
随着Ugs加强，导电沟道还会逐步变宽，到一定程度，这个沟道的大小就不再随着电压变宽了（类似于水龙头，Ugs（th）就相当于刚刚有水，但增加到一定程度，水流的粗细就不再变了），一般来说，MOS管要比较好的导通需要10V左右的电压。
从电路上分析，理论上Vgs=R2两端电压降Ur2=2*24/12=18V 这个电压与MOS管导通与否没有关系。
一般情况下，增强型NMOS管的Vgs是一个大于0的电压，插件型的一般是12V左右，贴片型的可以做到5V 耗尽型的开启电压跟增强型的差不多，但是其关断电压是一个负电压，实际用的不多 PMOS与NMOS电压相反。
在MOS管的导通过程中，电压电流的变化曲线可以清晰地描绘出从截止到导通的全过程。
电压：MOSFET的导通电压为VGS，即栅极加正电压（VD），由于MOS管是场效应晶体管，其输入电阻很小，只要VGS大于VD就可以使MOSFET导通。
MOS管导通条件是什么?
1、电压：MOSFET的导通电压为VGS，即栅极加正电压（VD），由于MOS管是场效应晶体管，其输入电阻很小，只要VGS大于VD就可以使MOSFET导通。
2、MOS管的导通条件取决于栅极和源极之间的电压。当栅极和源极之间的电压大于阈值电压时，MOS管会导通。在N沟道MOS中，当栅极电压高于源极电压加上阈值电压时，NMOS管导通；而在P沟道MOS中，当栅极电压低于源极电压减去阈值电压时，PMOS管导通。
3、对于NMOS，当Vg减Vs大于Vgs（th）时，MOS管导通G极和S极的差大于一定值，MOS管会导通，不能大太多，Vgs（th）和别的参数需要看MOS管的SPEC。
4、PMOS增强型管：uG-uS0 ， 且 |uG-uS||uGS（th）| ， uGS|th|是开启电压；NMOS增强型管：uG-uS0，且 |uG-uS||uGS（th）| ，uGS|th|是开启电压；PMOS导通是在G和S之间加G负S正电压。NMOS相反。
5、G极是栅极，S是源极，D是漏极导通时是Vs=Vd，而不是，Vg=Vs。是可以继续导通的。
6、MOS管就会导通，从而使输出电压Vds达到一定的值。MOS管导通原理的基本原理是，当控制电压Vgs达到一定的阈值时，MOS管中的控制电子就会被激活，从而使MOS管导通，从而使输出电压Vds达到一定的值。MOS管导通原理的另一个重要特点是，当控制电压Vgs达到一定的阈值时，MOS管的导通电流Ids也会达到一定的值。
判断一个mos管是否导通的关键是
MOS管的导通条件取决于栅极和源极之间的电压。当栅极和源极之间的电压大于阈值电压时，MOS管会导通。在N沟道MOS中，当栅极电压高于源极电压加上阈值电压时，NMOS管导通；而在P沟道MOS中，当栅极电压低于源极电压减去阈值电压时，PMOS管导通。
首先，理解MOS管导通过程的关键在于其特征曲线，特别是N沟道增强型MOS管的V-I特性，它分为截止区、可变电阻区、恒流区和击穿区。在可变电阻区，电流ID随VDS电压增加呈线性关系，RDS（ON）参数即反映这一区的导通电阻。MOS管的导通过程包含以下阶段：当VGS达到开启电压时，开始进入可变电阻区。
MOS管就会导通，从而使输出电压Vds达到一定的值。MOS管导通原理的基本原理是，当控制电压Vgs达到一定的阈值时，MOS管中的控制电子就会被激活，从而使MOS管导通，从而使输出电压Vds达到一定的值。MOS管导通原理的另一个重要特点是，当控制电压Vgs达到一定的阈值时，MOS管的导通电流Ids也会达到一定的值。
可以通过看电路图纸中画的MOS形状来判断MOS管是高电平导通还是低电平导通。如果箭头指向栅极，那么MOS管就是高电平导通。如果箭头未指向栅极，那么MOS管就是低电平导通。P沟道MOS晶体管的空穴迁移率低，因而在MOS晶体管的几何尺寸和工作电压绝对值相等的情况下，PMOS晶体管的跨导小于N沟道MOS晶体管。
在选型时，需区分MOS管的导通特性，NMOS和PMOS在驱动方式上有所不同。导通损耗和开关损耗是衡量效率的关键，选择低阻值的MOS管和优化开关时间可以降低这些损耗。驱动电流的瞬时需求也是驱动电路设计的核心考虑因素。最后，还需考虑N沟道和P沟道的选择，以及额定电流、热要求和开关性能等。
mos管的栅极电压大于0v时就可以导通
MOS管的导通状态主要取决于栅极电压的大小。当栅极电压大于0V时，即栅极相对于源极的电压为正时，会在半导体基底中形成一个导电沟道，使得漏极和源极之间的电流可以流通，此时MOS管处于导通状态。栅极电压越高，导电沟道的宽度越大，通过的电流也就越大。
MOS管的导通条件取决于栅极和源极之间的电压。当栅极和源极之间的电压大于阈值电压时，MOS管会导通。在N沟道MOS中，当栅极电压高于源极电压加上阈值电压时，NMOS管导通；而在P沟道MOS中，当栅极电压低于源极电压减去阈值电压时，PMOS管导通。
电压：MOSFET的导通电压为VGS，即栅极加正电压（VD），由于MOS管是场效应晶体管，其输入电阻很小，只要VGS大于VD就可以使MOSFET导通。
工作是什么意思？就是起作用，起到我们想要它实现得功能得作用，当然就是导通得意思。从结构上看，N沟道耗尽型MOS管与N沟道增强型MOS管基本相似，其区别仅在于栅－源极间电压vGS=0时，耗尽型MOS管中的漏－源极间已有导电沟道产生，而增强型MOS管要在vGS≥VT时才出现导电沟道。
耗尽型：即在0栅偏压时就能够导电的器件。增强型：即在0栅偏压时是不导电的器件，也就是只有当栅极电压的大小大于其阈值电压时才能出现导电沟道的场效应晶体管。特点不同 耗尽型：场效应管的源极和漏极在结构上是对称的，可以互换使用，耗尽型MOS管的栅——源电压可正可负。
