势垒电压（势垒电压和开启电压的区别）
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势垒肖特基势垒
1、金属-半导体边界上形成的具有整流作用的区域，即所谓的势垒肖特基势垒。金属与半导体在热平衡时具有相同费米能级。电子由半导体向金属方向流动时需克服势垒，而金属到半导体方向则受到势垒阻挡。在施加正向偏置时，半导体侧的势垒降低，从而促使金属-半导体接触具有整流作用。
2、由于肖特基势垒高度低于PN结势垒高度，故其正向导通门限电压和正向压降都比PN结二极管低（约低0.2V）。2）由于SBD是一种多数载流子导电器件，不存在少数载流子寿命和反向恢复问题。SBD的反向恢复时间只是肖特基势垒电容的充、放电时间，完全不同于PN结二极管的反向恢复时间。
3、肖特基势垒是一种物理概念，指的是金属与半导体接触时形成的特殊势垒。肖特基势垒的具体解释如下：金属与半导体的接触：当金属与半导体接触时，由于两者材料的电子亲和力和功函数存在差异，会在接触界面形成特殊的电子分布。这种分布会影响电子在金属和半导体之间的传输。
4、肖特基势垒的具体形成原理是金属和半导体接触时，两者之间的电子能量状态存在差异。在界面处，金属中的自由电子想要进入半导体，必须克服一定的能量障碍。这个能量障碍就是肖特基势垒。它是电子在金属和半导体之间传输的阻碍，对半导体器件的电流、电压特性及二极管等器件的性能起到决定性作用。
5、肖特基势垒的基本概念：答案 肖特基势垒是一种描述金属与半导体之间接触形成的物理现象。它涉及半导体表面的电子能级结构与金属的电子费米能级之间的关系，这种关系在两者接触时形成了势能阻碍，即为肖特基势垒。
6、调整肖特基势垒高度，有两大主要策略。首先，通过更换接触金属，根据金属的功函数与半导体电子亲合能的差异，可直接改变势垒高度。功函数不同的金属带来势垒高度的变化，此方法简洁有效。其次，表面浅注入技术也极具潜力。通过在半导体表面浅层注入原子，势垒高度能被显著调整。
死区电压和势垒电压的区别
【死区电压】也叫开启电压，是应用在不同场合的两个名称。在二极管正负极间加电压，当电压大于一定的范围时二极管开始导通，这个电压叫开启电压。锗管0.1左右，硅管0.5左右。
二极管的死区电压是指二极管在正向偏置时，其正向电压达到一定程度后才开始导通的电压值。以下是关于二极管死区电压的 死区电压的基本概念 在电子学中，二极管的死区电压是与二极管性能特性紧密相关的一个重要参数。
正向特性：带死区电压，正向电压超过死区电压之后，电流成指数增加。PN结之间的电容效应 电容是表征电量与电压之间的关系，PN结一边是负电荷，一边是正电荷，而且随着电压的增大，PN结变变宽或变窄，与电容的特性相同，这个电容发生在势垒里面，称为势垒电容。
表面势垒二极管外加电压后,势垒会发生变化吗
扁压。外加偏压时势垒的变化LM8364BALMF32，势垒区内只有正负离子，载流子极少，是一个高阻区，称为耗尽层，所以外加电场几乎全部降落在这个区域。
势垒电容（barrier capacitance）在积累空间电荷的势垒区，当PN结外加电压变化时，引起积累在势垒区的空间电荷的变化，即耗尽层的电荷量随外加电压而增多或减少，这种现象与电容器的充、放电过程相同。耗尽层宽窄变化所等效的电容称为势垒电容。
当外加电压增强二极管PN结的势垒电场时，二极管截止，随着外加电压的增加，二极管有微小的飘移电流，但飘移电流的增大变化很小，这就是二极管的反向截止现象。当外加电压增大使二极管的飘移电流开始明显增大时，这是二极管反向击穿的临界点。当继续增大外加电压后，二极管反向电流激增，二极管进入反向击穿区。
求教关于二极管PN结势垒问题
不加电压的情况下，PN两个区域的交界处由于各自的多数载流子性质不同，会向对方进行扩散，从而建立起一个内建电场。当外加正向电压时，这个电场是阻止电流从P区流向N区的。这就是“势垒”，也叫“阻挡层”。若要电流流过，就必须克服这个内建电场，也叫克服“死区电压”。
二极管中间pN结（耗尽层）电压方向，是多数载流子相互渗透形成的，它同时也消耗掉了区域中的大多数载流子，从而构成阻止载流子继续运动的耗尽区。这个结电压的方向，就是阻止多数载流子继续流动的方向。因此，这个电压要与电池方向一致，那当然会造成势垒加大，更加阻止多数载流子的流动了。
假设导线是金属，在导线连到PN结两端的一瞬间，相当于金属与半导体的接触问题，一般来讲会形成欧姆接触或肖特基接触，就会在两端分别产生两个势垒，这两个势垒的产生过程中必定伴随着电荷的复合过程，也就是说在势垒形成过程中会有电荷移动，电流产生。
温度越高势垒电压会越来越高吗?
1、是的，温度越高，势垒电压会越来越高。势垒电压是指在半导体材料中，当电子或空穴通过PN结时需要克服的势垒高度，它是PN结导电特性的重要指标之一。在温度升高的条件下，半导体材料的导电性能会发生变化，势垒电压也会随之变化。
2、温度增大导致电子的动能增加，从而会导致势垒电势增大导致击穿电压增大。温度升高1℃，势垒电压降低0.25mV。温度系数为负，温度升高时势垒电势降低。
3、温度变化时会引起BJT的禁带宽度和少数载流子浓度这两个参数变化。正向压降随着温度升高而降低，反向电流随着温度升高而很快增大，势垒电容随着温度升高而增大等。
4、BJT是半导体制造的，而半导体在此有两个参数是与温度有关的：一个是禁带宽度（一般随着温度的升高而减小）；二是少数载流子浓度（随着温度的升高而指数式增大）。因此，BJT凡是与这两个参数有关的性能都将发生变化。
5、这个电压最大也只能是发射结的势垒高度。温度升高时，势垒高度降低（这是Fermi能级变化的结果），即势垒中的电场减弱，所以需要克服电场阻挡作用的电压Ube也就减小。因此，随着温度的升高，Ube降低。详见“http：//blog.16com/xmx028@126/”中的有关说明。
6、晶体管的发射结正向压降与发射结的势垒高度直接有关，势垒越低，电压就越小。当温度升高时，半导体的Fermi能级都要向禁带中央移动，同时禁带宽度也变窄。而晶体管发射结的势垒高度是等于p型和n型半导体的Fermi能级之差，则随着温度的升高，势垒高度降低，从而导致发射结的正向压降减小。
二极管zp和zk的区别?
二极管中的ZP和ZK通常指代不同类型的二极管。下面是它们之间的区别： ZP：ZP是反向击穿电压（Zener Voltage）的简称。ZP二极管，也被称为稳压二极管或Zener二极管，主要用于稳定电压的特殊应用。当正向电压小于ZP时，ZP二极管会处于正常导通状态，类似于普通的二极管。
不可以。稳压管的稳压值相同，功率稍大的可以代替功率小的，整流二极管电流大的，可以代换电流小的，因此zk可以代替zp，但zp不可以代替zk，两者不能互换。二极管是用半导体材料制成的一种电子器件。二极管有两个电极，正极，又叫阳极；负极，又叫阴极。
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