pmos开启电压（pmos开关电路原理）
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MOSFET与驱动电路学习总结
1、电机控制电路中，MOSFET或IGBT的一些特殊性质需在驱动电路设计中考虑，如避免米勒效应导致的下管误导通，以及避免去饱和问题导致的功率管损坏。自举电路或BOOST电路在驱动中广泛应用，确保在不同电压下正常工作。对于热插拔或缓启动电路，通过控制MOSFET的开启，避免电容充电时的火花，确保电路安全。
2、MOS管的驱动电路及其损失，可以参考Microchip公司的AN799 matching MOSFET Drivers to MOSFETs， 讲述得很详细，所以不打算多写了。MOS管应用电路 MOS管最显著的特性是开关特性好，所以被广泛应用于需要电子开关的电路中，常见的如开关电源和马达驱动电路，也有照明调光。
3、《MOSFET/IGBT驱动集成电路及应用》是一部详尽的指南，主要关注了同步整流式、双端输出式、半桥式和推挽式这四种常见的MOSFET/IGBT驱动集成电路。
4、双电压应用 在一些控制电路中，逻辑部分使用典型的5V或者3V数字电压，而功率部分使用12V甚至更高的电压。两个电压采用共地方式连接。这就提出一个要求，需要使用一个电路，让低压侧能够有效的控制高压侧的MOS管，同时高压侧的MOS管也同样会面对1和2中提到的问题。
5、当在可变电阻区和夹断区内工作时，MOS管相当于一个电子开关。MOS管驱动电路跟MOS本身没有必然联系，因为MOS管的控制比一般三极管麻烦一些，特别是关断的要求比较高，为了让MOS用起来更简单，就出现了驱动电路这类东西。MOS管当然不用驱动电路，也完全可以工作。简单的说，驱动电路类似MOSFET的服务电路。
6、一） MOSFET的驱动电流需求 在典型的三极管开关电路中替换三极管为MOSFET，需要考虑MOSFET在导通瞬间需要较大的驱动电流。实际设计中，通过选择合适的电阻值（如R1）来确保驱动电流的大小，以避免MOSFET无法导通。
Pmos管开关电路?
1、MOS管开关电路是利用一种电路，是利用MOS管栅极（g）控制MOS管源极（s）和漏极（d）通断的原理构造的电路。MOS管分为N沟道与P沟道，所以开关电路也主要分为两种。PWM MOS管驱动实际是将PWM信号经过MOS进行功率放大，将PWM信号变成具备一定功率输出或有一定电流灌入能力的PWM波形。
2、开关管是MOS管和三极管的一种用途，即用于控制电路导通和关断。区别在于MOS管使用电压控制开关状态而三极管是用电流控制开关状态。MOS管和三极管也可以不用做开关管，比如三极管经常工作于放大区用作电流放大器件，这是就不能算开关管。功率管是相对于信号管而言的。
3、在驱动高压MOS管时，要考虑诸多因素：电平转换、相位转换、开关频率、驱动电流、工作电压以及电压变化率（DV/DT）。针对低电平关断问题，电路设计需要持续优化，以确保信号的准确控制。
4、PNP开关电路：NPN开关电路：3V控制5V开关电路 总结：PNP和P-MOS管的电路是兼容的，区别在于MOS一般通过的电流更大，NPN和N-MOS同理。另外，P-MOS管和N-MOS管的电路不可兼容，即N-MOS管不能接在VCC上作开关功能。
5、MOS开关电路图电路图如下：AOD448是30V 75A的管子，是用5V驱动的，偏高了点。可以用AOD442，AO3416等管子，电压用5V就能驱动。当电压为5V时，只有26豪欧。电流2到3安没问题。也可以用IRF540N，1A条件下一点问题都没有，当时做精密恒流源，可以控制到精度1mA。
MOS管开关电路?
MOS管开关电路是利用一种电路，是利用MOS管栅极（g）控制MOS管源极（s）和漏极（d）通断的原理构造的电路。MOS管分为N沟道与P沟道，所以开关电路也主要分为两种。PWM MOS管驱动实际是将PWM信号经过MOS进行功率放大，将PWM信号变成具备一定功率输出或有一定电流灌入能力的PWM波形。
开关管是MOS管和三极管的一种用途，即用于控制电路导通和关断。区别在于MOS管使用电压控制开关状态而三极管是用电流控制开关状态。MOS管和三极管也可以不用做开关管，比如三极管经常工作于放大区用作电流放大器件，这是就不能算开关管。功率管是相对于信号管而言的。
MOS开关电路图电路图如下：AOD448是30V 75A的管子，是用5V驱动的，偏高了点。可以用AOD442，AO3416等管子，电压用5V就能驱动。当电压为5V时，只有26豪欧。电流2到3安没问题。也可以用IRF540N，1A条件下一点问题都没有，当时做精密恒流源，可以控制到精度1mA。
N-MOS开关电路 这里需要注意的是S极是接在GND上的，而不能与D极对调。PNP开关电路：NPN开关电路：3V控制5V开关电路 总结：PNP和P-MOS管的电路是兼容的，区别在于MOS一般通过的电流更大，NPN和N-MOS同理。另外，P-MOS管和N-MOS管的电路不可兼容，即N-MOS管不能接在VCC上作开关功能。
mos管的开关电路原理MOSFET（Metal-Oxide-SemiconductorField-EffectTransistor）管的开关电路原理是通过控制门电压来控制通过MOSFET管的电流。当门电压高于源电压时，MOSFET管导通，当门电压低于源电压时，MOSFET管不导通。在开关电路中，MOSFET管可用来替代传统的电源开关，实现较高的效率和更小的损耗。
在驱动高压MOS管时，要考虑诸多因素：电平转换、相位转换、开关频率、驱动电流、工作电压以及电压变化率（DV/DT）。针对低电平关断问题，电路设计需要持续优化，以确保信号的准确控制。
为什么pmos管的vgs有正负之分?
1、pmos管的vgs同样也有正和负。mos管的vgs一般不常采用负电压关断，但是如果采用负电压，可以增加关断可靠性，还可以提高vds的耐压承受力。比如说+12v是开启mos，-5v是关闭mos。如果两种Vod都大于零，说明晶体管沟道全开，也就是处于线性区。
2、Vgs，即栅极相对于源极的电压，是PMOS晶体管工作中的关键参数。它在PMOS的导通过程中起着决定性作用，类似于NMOS的反型沟道形成过程。当PMOS处于截止状态时，其电压条件为|VGS| |V_{TP}|，并且需要注意的是，VGS对于PMOS来说是负值。
3、Vgs是栅极相对于源极的电压。与NMOS一样，导通的PMOS的工作区域也分为非饱和区，临界饱和点和饱和区。当然，不论NMOS还是PMOS，当未形成反型沟道时，都处于截止区，其电压条件是：|VGS||VTP （PMOS）|，值得注意的是，PMOS的VGS和VTP都是负值。PMOS集成电路是一种适合在低速、低频领域内应用的器件。
4、Vgs是负压是PMOS类型的管子。Vgs是栅极相对于源极的电压。与NMOS一样，导通的PMOS的工作区域也分为非饱和区，临界饱和点和饱和区。当然，不论NMOS还是PMOS，当未形成反型沟道时，都处于截止区。MOS管的原理：双极型晶体管把输入端电流的微小变化放大后，在输出端输出一个大的电流变化。
5、N沟道的MOSFET和P沟道的MOSFET区别就是驱动上面，N沟道的Vgs是正的，P沟道的Vgs是负的。只要Vgs达到了打开的门限值，漏级和源级就可以过电流了。区分：首先，先判定MOS的三个极，G极，中间的电极为G极，非常好认。S极，两根线相交的极就是S极。
mos管导通条件?
1、P型MOS管的导通条件：靠在G极上加一个触发电压，使N极与D极导通。对N沟道G极电压为+极性。对P沟道的G极电压为-极性。 场效应管的导通与截止由栅源电压来控制，对于增强型场效应管来说，N沟道的管子加正向电压即导通，P沟道的管子则加反向电压。一般2V～4V就可以了。
2、电压：MOSFET的导通电压为VGS，即栅极加正电压（VD），由于MOS管是场效应晶体管，其输入电阻很小，只要VGS大于VD就可以使MOSFET导通。
3、对于NMOS，当Vg减Vs大于Vgs（th）时，MOS管导通G极和S极的差大于一定值，MOS管会导通，不能大太多，Vgs（th）和别的参数需要看MOS管的SPEC。
4、PMOS增强型管：uG-uS0 ， 且 |uG-uS||uGS（th）| ， uGS|th|是开启电压；NMOS增强型管：uG-uS0，且 |uG-uS||uGS（th）| ，uGS|th|是开启电压；PMOS导通是在G和S之间加G负S正电压。NMOS相反。
5、以N沟道MOS管为例，当栅极电压大于0V时，N型半导体基底中的电子被吸引到栅极下方，形成一个N型导电沟道，连接漏极和源极。此时，如果漏极电压相对于源极为正，则电子可以从源极流向漏极，形成电流，MOS管导通。如果栅极电压为0V或负值，导电沟道消失，MOS管截止。
6、MOS管就会导通，从而使输出电压Vds达到一定的值。MOS管导通原理的基本原理是，当控制电压Vgs达到一定的阈值时，MOS管中的控制电子就会被激活，从而使MOS管导通，从而使输出电压Vds达到一定的值。MOS管导通原理的另一个重要特点是，当控制电压Vgs达到一定的阈值时，MOS管的导通电流Ids也会达到一定的值。
MOS管的过驱动电压及阈值电压是多少?
阈值电压受衬偏效应的影响，即衬底偏置电位，零点五微米工艺水平下一阶mos spice模型的标准阈值电压为nmos0.7v pmos负 0.8，过驱动电压为Vgs减Vth。MOS管，当器件由耗尽向反型转变时，要经历一个 Si 表面电子浓度等于空穴浓度的状态。
当然会了，电器产品在设计之初，都会有自己有效使用年限，在超出最佳环境的情况下使用，会加快老化。
MOS的阈值电压，即是所谓的开启电压，不同型号的阈值会有不同的值；而通常情况下还与其耐压有关，例如几十V的耐压一般为1-2V，200v以内的一般为2-4V，200V以上的一般为3-5V。
在MOS管的导通过程中，电压电流的变化曲线可以清晰地描绘出从截止到导通的全过程。
通态电阻（Rds（on）与MOSFET的通态损耗紧密相关，其值随温度升高而增加，显示为正温度系数。Rds（on）的大小与驱动电压Vgs和流过MOSFET的电流Id有关，直接影响着MOSFET在不同工作条件下的性能。Vgs（th）（阈值电压）则决定了MOSFET的开启条件，其值随温度升高而减小，对高压MOSFET尤为关键。
