FM22L16(fm22L16读写)
FM22L16
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FM22L16 概述
FM22L16是256Kx16的非易失性存储器，可像标准SRAM一样快速读写。铁电存储器（F-RAM）具有非易失性，这意味着FM22L16中的数据在掉电后仍将被保存，保存时间长达10年以上。相对于依靠后备电池的SRAM（BBSRAM）而言，FM22L16消除了可靠性忧虑，功能性缺陷以及系统设计复杂性问题。快速写入能力和超高的读/写次数，使F-RAM成为存储器中当之无愧的王者。
FM22L16的在系统操作跟其他RAM非常相似，可作为其他标准SRAM的替换元件。FM22L16的读写周期可被/CE触发，或者通过直接改变地址来实现。F-RAM的非易失性来自于其独一无二的铁电存储器工艺，这种特性使得FM22L16成为需要像SRAM一样频繁且快速写入的非易失性存储应用的理想选择。
FM22L16带有低电压监控保护，防止意外写入。此外，FM22L16提供软件可编程的块写保护，整个存储器被划分为8个区域，每个区域可被分别进行写保护。
这些功能使得FM18L08成为需要频繁且快速写入的非易失性存储应用的理想选择。 FM22L16 参数
FM22L16基本参数
容量 4M (256Kx16)
访问时间 55ns
最大工作电流 18mA
电压 3.3V
FM22L16封装与引脚
TSOP-II 44PIN
FM22L16接口类型
串行
并行 √
FM22L16 特性
4Mbit位非易失性铁电存储器
结构容量为256K×16位
可用/UB, /LB设置成512K×8位
读/写次数达到100万亿次
写数据无延迟 · 页面模式运行可达到40MHz
采用先进的高可靠性铁电制造工艺
可兼容SRAM
符合 JEDEC 256K×16 SRAM引脚标准
访问时间：55ns，周期：110ns
高级功能
不需电池，没有后顾之忧
整体可靠性
优于带后备电池的SRAM模块
不需电池，没有后顾之忧
整体可靠性
低功耗操作
工作电压：2.7V - 3.6V
超低待机电流：使用ZZ引脚
工作电流：18mA
工业标准
工业级温度：-40℃至+85℃
44脚环保/RoHS TSOP-II封装
真正的表面贴片安装装解决方案，没有返工步骤
防止潮湿，冲击和震动的危害
订购信息
FM22L16-55-TG 55ns访问时间,，44脚环保/RoHS TSOP-II封装
