mos击穿电压（mos管的击穿电压）

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MOS管的参数怎么读懂

1、开启电压VT ·开启电压（又称阈值电压）：使得源极S和漏极D之间开始形成导电沟道所需的栅极电压；·标准的N沟道MOS管，VT约为3～6V；·通过工艺上的改进，可以使MOS管的VT值降到2～3V。

2、从单一功能的集成稳压器件和DC/DC转换器，到整合了DC/DC、LDO、电池充放电管理、PWM控制器、节能控制、功率MOSFET等多功能的电源管理IC，电源IC的应用范围和功能不断扩展。

3、LDO的工作原理基于其内部的反馈环路控制。参考电压和反馈电压通过误差放大器进行比较，输出误差量调节MOS管的导通状态，以维持输出电压的稳定。与DC-DC稳压器相比，LDO在输入电流、输出电流和负载电流之间形成串联关系，自身消耗一部分功率来维持输出端的稳定。在设计过程中，工程师需要关注LDO的多个关键参数。

4、例如，OPA336内部巧妙地使用PMOS和NMOS差分输入级，实现轨到轨功能，通过互补的MOS管工作在正负电源轨之间。早期，这种技术常通过PMOS和NMOS的并联来实现，现在也有新型运放采用自调零技术来降低输入失调电压，提高精度。然而，输出轨到轨运放并非总是完美的，输出到轨电压受到饱和电压和MOS管压降的制约。

5、要想看懂图纸首先你得具备电子元件基础常识，就是认识这些元器件，二极管 三极管 MOS管 电阻电容电感 芯片等，了解这些元器件外观、作用和工作原理，常用型号以及这些元器件在电路图中的标注符号，这是基础，没有这些你是无论如何也不会看懂电路图的。

如何选用mos

1、选用MOS时，主要考虑应用场景、电气特性、封装和成本这四个方面。在选择MOS时，首先要明确其应用场景。不同的应用场景对MOS的性能要求不同。例如，在高速开关应用中，需要选择具有低导通电阻和快速开关速度的MOS；而在高压应用中，则需要选择具有高击穿电压的MOS。因此，明确应用场景是选用MOS的第一步。

2、首先，确定N、P沟道的选择。N沟道和P沟道MOS管结构不同，使用电压极性也不同。在低压侧开关中，采用N沟道MOS管；而在高压侧开关中，则选用P沟道MOS管，以便满足电压驱动需求。其次，确定额定电压。选择的电压应大于干线或总线电压，并留出2至5倍的电压余量，确保MOS管在各种应用中的可靠工作。

3、首先，确定沟道类型。在低压侧开关中，应选择N沟道MOS管，而在高压侧开关中，P沟道MOS管更为合适，这取决于驱动电压的需求。其次，确认额外电压。必须确保MOS管的额外电压大于实际工作电压，以提供足够的保护，防止由于温度变化导致的失效。

4、无论是三极管还是MOS管，这些封装都有固定的脚位规则：SOT-23的1脚为基极，2脚为发射极，3脚为集电极；MOS管的1脚为栅极，2脚为源极，3脚为漏极。

5、Vds一般选用600V或者800V，Rds尽量小点的话效率会高点，还有就是承受电流的能力。别人10n60就是10A/600V的mos管。还有就是厂家，比如FairChild、SHIP等啊，差别蛮大的。

MOS管的每一个参数含义

漏源电压（VDSS）：此参数确保MOS管在正常工作条件下不会因电流过大而损坏，起到了一道安全屏障的作用。 栅源电压（VGS）：保护栅极氧化层，防止过电压损坏，确保栅极控制的精确性。 连续漏电流（ID）：电路性能的直接指标，受结温限制，对散热设计有重要影响。

- V（BR）DSS： 漏源击穿电压。场效应管正常工作时能承受的最大漏源电压，为极限参数，加压应小于V（BR）DSS。具有正温度特性。- △V（BR）DSS/△Tj： 漏源击穿电压温度系数，约为0.1V/℃。- RDS（on）： 在特定VGS（通常为10V）、结温和漏极电流条件下，MOSFET导通时的最大漏源阻抗。

最大额定参数规定了MOS管在特定条件下的性能极限，例如温度为25℃时的性能指标。VDSS，最大漏-源电压，指的是在栅源短接、漏-源额定电压下未发生雪崩击穿前允许的最大电压。实际雪崩击穿电压可能低于额定值，详细信息可见静电学特性。

电流参数：ID、IDM，关注脉冲电流能力。 温度限制：如TJ、TSTG，保证器件性能和寿命。 能量相关：如PD、EAS，反映器件的过载能力。 静态电特性和动态电特性中，如V（BR）DSS、VGS（th）、RDS（on）等，都是理解MOS管性能的关键。

mos管击穿原因及解决

1、然而，129#在初期设计时未加入保护电阻，这也是MOS管可能击穿的原因。更换一个内部有保护电阻的MOS管可以防止这种失效。此外，保护电路吸收的瞬间能量有限，太大的瞬间信号和过高的静电电压会使其失效。因此，焊接时电烙铁必须可靠接地，以防漏电击穿MOS管。

2、综上所述，MOS管被ESD击穿问题的解决方案涉及了多个方面的考虑和实施。通过采取适当的保护措施，如合理存储、接地操作、电路设计优化和适当电阻的使用，可以有效减少静电对MOS管的影响，确保电路的正常运行和稳定性。

3、MOS管被击穿的原因及解决方案如下：第MOS管本身的输入电阻很高，而栅-源极间电容又非常小，所以极易受外界电磁场或静电的感应而带电，而少量电荷就可在极间电容上形成相当高的电压（U=Q/C），将管子损坏。

4、这种情况下，即使MOS管的漏极电压很低，也可能因为栅极电压过高而引发齐纳击穿。为了避免齐纳击穿，需要严格控制栅极电压，并确保栅极氧化层的质量。最后，热击穿也是MOS管中不可忽视的一种击穿现象。它通常发生在MOS管长时间工作在高电流密度和高温度环境下时。

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