关于三极管be间电压的信息

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怎么调三极管BE结的电压

1、准确一点应该说是调节BE结的偏置电流。BE节的电压基本维持在0.7伏（硅），变化很小的。B极一般都会连接两个电阻串联的偏置电路，调节其中一个（一般是B极接地的那个）电阻。

2、第一步，确定Ic的工作电流大小。根据β反推Ib电流。然后根据Ib电流，用外电路根据Ube-I被设置be二极管的压降。比如，我要Ic工作在10ma，反推Ib=10/β=0.1ma。查三极管的BE二极管曲线。发现Ib=0.1mA时，Ube是0.65V。Ok，外电路用个电阻分压，给它刚好0.65V。

3、硅三极管BE间的门槛电压是0.7v，锗三极管BE间的门槛电压是0.2v，而由外电路加在BE间的电压可以是动态变化的电压，当外加电压小于门槛电压值时，BE是关断的没有电流。当外加电压大于门槛电时，BE开通，有电流流过，所加电压越高，电流越大，此时BE间呈现低阻状态，BE间电压只是微高于门槛电压。

请哪位帮忙求一下三极管各极直流电压,谢谢。

1、求三极管各极电压计算公式有：Ie=Ib+Ic、Ic=βIb。三极管（也称晶体管）在中文含义里面只是对三个引脚的放大器件的统称，三极管具有电流放大作用，是电子电路的核心元件。

2、射极电压：Ve=Vb-Veb=8-0.7=1（V），射极电流：Ie=Ve/Re=1/3K=37（mA），那么，CE的电流：Ice=Ie-Ib=Ie-（Ie/hfe）=37-（37/40）=34（mA），CE的电压：Vce=Vcc-Vc-Ve=Vcc-Ice*Rc-Ve=12-34*2K-1=23（V）。

3、Vbe = Vb - Ve 其中，Vb为基极电压，Ve为发射极电压。发射极电压（Ve）：Ve = Vb - Vbe 其中，Vb为基极电压，Vbe为基极-发射极间电压。需要注意的是，这些公式都是基于三极管处于正常工作状态的情况下推导出来的，如果三极管处于非正常工作状态，比如击穿或过压等情况，这些公式就可能不适用了。

4、实际电路中，这个电压是不可能的，原因很简单，BE之间的PN结在这个正偏电压下正向到通，故Ube只能是0.7V左右，另外还有一种可能就是该管的BE之间大PN结开路损坏了。三极管，全称应为半导体三极管，也称双极型晶体管、晶体三极管，是一种控制电流的半导体器件。

5、三极管是一种PNP型硅管，适用于开关应用和射频放大等场合。其集电极-基极电压Vcbo为-40V，工作温度范围从-55℃至+150℃。8550三极管的最大集电极电流为0.5A，直流电增益范围从10到60，最大耗散功率为625mW，集电极-发射极击穿电压VCEO为25V，特征频率fT最小值为150MHz。

三极管BE结的V和E分别是什么电压?

BE结应该在0-0.7V之间，V1和V2压差0.3V，所以应该是B和E，V3肯定是C，根据其极性方向可以判断这是一个PNP管，C的电压低于B和E。如果C的电压高于B和E，则应为NPN管。所以有了NPN和PNP管的分别，V1和V2哪个是B哪个是E也就清楚了。V1 ＝ 2V，V2 ＝ 8V，V3 = 3V。

b极=915；c极=83V；e极=286V。图中已经给出。

NPN加正电压，PNP加负电压。击穿电压：C极--B极 〉C极--E极 〉E极--B极 这是规律。以硅大功率三极管举例：3DD12A C极---B极≥150V C极--E极≥100V E极--B极≥4V （注意：普遍硅大、小功率三极管的E极--B极的击穿电压都在 ≥3V---≥6V 左右。

知道三极管的3个管脚的电压，判断它的管脚的极性 例：1脚为5V，2脚为2V，3脚为4V 解：从例子看很明显是一个NPN型硅三极管：1脚为c，2脚为b，3脚为e.原因很简单：因为三极管中be的电压：硅管为0.6左右，锗管0.2左右（现在使用的98%都是硅管。

V（BR）CBO e极开路，c-b结的反向击穿电压。此时流经c-b极的是ICBO。当反向电压VCB增至一定程度时，ICBO急剧增大，最后导致击穿。（2） V（BR）CEO--b极开c-e极之间的反向击穿电压。 此时流经c-e极的是ICEO。当反向电压VCE增加到ICEO开始上升时的VCE就是V（BR）CEO。

因为三极管be极（be结），是一个二极管（NpN b→e为正向，pNp e→p为正向）。既然是个二极管，它正向导通时be结就有个正向压降，这个正向压降为硅0.7v、锗0.2v。在这个电压内，二极管不会导通。

三极管电压怎样求?

1、发射极电压（Ve）：Ve = Vb - Vbe 其中，Vb为基极电压，Vbe为基极-发射极间电压。需要注意的是，这些公式都是基于三极管处于正常工作状态的情况下推导出来的，如果三极管处于非正常工作状态，比如击穿或过压等情况，这些公式就可能不适用了。

2、求三极管各极电压计算公式有：Ie=Ib+Ic、Ic=βIb。三极管（也称晶体管）在中文含义里面只是对三个引脚的放大器件的统称，三极管具有电流放大作用，是电子电路的核心元件。

3、增加基极电阻RB以减小基极电流，从而集电极电流IC=βIB，在集电极电阻RC和集电极电源VCC不变的情况下，由VCE=VCC-βIBRC得集电极电压变大，从而使集电极收集电子能力增强，消除饱和失真。

4、Ubc=-0.2-（-5）=8V Ube=-0.2-0=-0.2V NPN Ubc=2-0=2V Ube=2-6=-4V 实际电路中，这个电压是不可能的，原因很简单，BE之间的PN结在这个正偏电压下正向到通，故Ube只能是0.7V左右，另外还有一种可能就是该管的BE之间大PN结开路损坏了。

5、mA，如果Vbe按0.7V算，则ib≈0.076mA，ic则要通过ic=β*ib来求，然后要判断下电流，因为ic最大电流只能有66mA，因为集电极接了一个3KΩ的电流，相当于限流电阻，最大电流不会超过5/3=66mA，如果超过了，那么电流就是66mA了，此时三极管处于饱和状态，电流不适用于放大状态的公式。

6、Ib=（Ub-0.7）/Rb，而集电极电流等于（β*Ib），Uc=（β*Ib）*Rc+Uce Uceo是穿透电压，与导通状态下的Uce不一样。这个穿透电压在制作的时候就已经测好了，看晶体管的参数时都会有这个参数值。这个参数的意思是：当三极管的基极开路的时候，加在三极管上的反向电压超过Uceo这个值时，三极管损坏。

三极管be间最大电压如何定

硅三极管BE间的门槛电压是0.7v，锗三极管BE间的门槛电压是0.2v，而由外电路加在BE间的电压可以是动态变化的电压，当外加电压小于门槛电压值时，BE是关断的没有电流。当外加电压大于门槛电时，BE开通，有电流流过，所加电压越高，电流越大，此时BE间呈现低阻状态，BE间电压只是微高于门槛电压。

NPN加正电压，PNP加负电压。击穿电压：C极--B极 〉C极--E极 〉E极--B极 这是规律。以硅大功率三极管举例：3DD12A C极---B极≥150V C极--E极≥100V E极--B极≥4V （注意：普遍硅大、小功率三极管的E极--B极的击穿电压都在 ≥3V---≥6V 左右。

准确一点应该说是调节BE结的偏置电流。BE节的电压基本维持在0.7伏（硅），变化很小的。B极一般都会连接两个电阻串联的偏置电路，调节其中一个（一般是B极接地的那个）电阻。

首先“听说vbe之间所加的电压最高不能超过1伏”这种说法不对。

有电压怎么判断三极管的三个电极

知道三极管的3个管脚的电压，判断它的管脚的极性 例：1脚为5V，2脚为2V，3脚为4V 解：从例子看很明显是一个NPN型硅三极管：1脚为c，2脚为b，3脚为e.原因很简单：因为三极管中be的电压：硅管为0.6左右，锗管0.2左右（现在使用的98%都是硅管。

看C的电位比这两脚高还是低，如果C的电位高，就是NPN型管，电位最低的是E，另一个就是B；如果C的电位低，就是PNP型管，电位最高的是E，B就不说了。

三极管类型确认：观察三个电极的电压关系，可以帮助判断三极管的类型。NPN型三极管中，集电极Vc的电压最高，发射极Ve的电压最低，基极Vb的电压介于Vc和Ve之间，通常比Ve高出0.7伏或0.2伏。

由于1，2之间的电压降是0.7V，所以判断是硅管，而且电位高的是基极，比它的电位低0.7V的就肯定是发射极，最后剩下的那个6V的就是集电极了。由于基极的电位高于发射极，就是说这个发射结是正向偏置，由P到N。而集电极的电位高于基极，就是说这个集电结是反向偏置，由N到P。所以是NPN型的。

三极管截止时，硅管的Ube小于0.5V，锗管的小于0.1V 这几条就是判别管子是何种管子和工作状态的依据。

在三极管正确偏置的条件下；将三个电压值由高到低排序，那么中间电压的那个就是基极；然后看中间和两端的电压差，如果与最低那个电压之差=0.7V，这个就是NPN型的，最低电压的就是发射极。如果与最高那个电压之差=0.7V，这个就是PNP型的，最高电压的就是集电极。

关键词：三极管be间电压