二极管门限电压（二极管的门限电压是指）

本文目录一览：

• 1、什么是二极管的死区电压?为什么会出现死区电压?硅管和锗管的死区电压...
• 2、硅二极管和锗二极管有什么异同?
• 3、二极管有什么特性?
• 4、硅和锗两种二极管的特性曲线,有何区别?
• 5、二极管伏安特性曲线问题(鄙视粘贴狂人)
• 6、什么是二极管的门限电压

什么是二极管的死区电压?为什么会出现死区电压?硅管和锗管的死区电压...

1、所谓死区电压：由于PN结内部有自建电场，电子和空穴的漂移作用，其内部本身就具有一定的电能，也就是说它的内部本身带有电荷，利用它的单向导电性，其实就是给PN结加上外部电压，破坏了它内部自建电场的平衡。在正向电压很小时，通过二极管的电流很小，只有正向电压达到某一数值Ur后，电流才明显增长。

2、死区电压是指在二极管上施加的电压低于该值时，二极管不会导通的最低电压。简单来说，就是二极管只有在超过这个特定电压时才能开始工作，这个特定电压被称为死区电压。对于硅二极管而言，其死区电压的典型值约为0.75V。

3、这个一定数值的正向电压称为死区电压；其大小与材料及环境温度有关。通常锗管的死区电压约为0．2 V，硅管的死区电压约为0．5 V。

4、死区电压，也被称作开启电压，是指在二极管的正负极间施加电压后，当电压超过一定阈值时，二极管开始导通。对于锗管而言，这一阈值约为0.1V，而对于硅管，则约为0.5V。在实际应用中，当二极管用于特定电路时，由于其固有的电压降，如果供电电压低于一定范围，二极管将不会导通，从而导致输出波形的不完整。

5、通常情况下，锗管的死区电压约为0.2V，而硅管的死区电压约为0.5V。这两个数值反映了不同材料在导通特性上的差异。死区电压在不同的应用场合下也有不同的称呼，例如在某些情况下它也被称作开启电压。硅和锗是制造晶体管最常用的两种半导体材料，其中硅管使用更为广泛。

6、二极管既然是一个PN结，当然具有单向导电性。Uon称为死区电压，通常硅管的死区电压约为0.5V，锗管约为0.1V。当外加正向电压低于死区电压时，外电场还不足以克服内电场对扩散运动的阻挡，正向电流几乎为零。当外加正向电压超过死区电压后，内电场被大大削弱，正向电流增长很快，二极管处于正向导通状态。

硅二极管和锗二极管有什么异同?

1、硅二极管与锗二极管的区别主要如下：在电流相同时，锗管的直流电阻小于硅管的直流电阻。而硅管的交流电阻小于锗管的交流电阻。

2、硅二极管与锗二极管在性能曲线方面存在显著差异。其主要区别体现在以下几个方面：首先，硅二极管的反向电流远低于锗二极管。在相同温度下，硅的杂质浓度比锗高约三个数量级，因此在相同掺杂浓度下，硅中的少数载流子浓度远低于锗，导致硅二极管的反向饱和电流（Is）非常小。

3、硅和锗两种二极管的特性曲线，两者有以下几点差异：1） 硅二极管反向电流比锗二极管反向电流小的多，锗管为mA级，硅管为nA级。这是因为在相同温度下锗的ni比硅的ni要高出约三个数量级，所以在相同掺杂浓度下硅的少子浓度比锗的少子浓度低的多，故硅管的反向饱和电流Is很小。

4、硅二极管和锗二极管之间的主要区别可以总结如下：制造材料：硅二极管由硅材料制成，锗二极管由锗材料制成。工作温度：硅二极管具有较高的工作温度，锗二极管适用于较低的环境温度。漏电流：硅二极管具有较小的漏电流，锗二极管漏电流较大。开关速度：硅二极管的开关速度较慢，锗二极管的开关速度较快。

二极管有什么特性?

1、二极管的特性就是单方向导电性。在电路中，电流只能从二极管的正极流入，负极流出。二极管的正向特性：在电子电路中，将二极管的正极接在高电位端，负极接在低电位端，二极管就会导通，这种连接方式，称为正向偏置。当加在二极管两端的正向电压很小时，二极管仍然不能导通，流过二极管的正向电流十分微弱。

2、二极管的主要特性：单向导电性、正向压降、反向击穿、温度特性、正向电阻可变性。单向导电性 二极管具有单向导电性，即电流只能在一个方向上流动。在电路中，通常将二极管的正极接在高电位端，负极接在低电位端，形成正向偏置。

3、单向导电性。二极管的主要特性之一是其单向导电性，即在正向偏压下，电流可以流过二极管；而在反向偏压下，电流则被阻断。 方向性。二极管的导电方向是受控制的，只有在正向电压作用下，电子才能从阳极流向阴极，而在反向电压下则几乎不导电。 非线性电压-电流特性。

4、二极管的四个特性如下：单向导电性 二极管具有单向导电性，这是其基本特性之一。这意味着电流只能在二极管的一个方向上流动，即只能从阳极流向阴极，而不能反向流动。这一特性使得二极管在电路中发挥整流作用，将交流电转换为直流电。

5、二极管的主要特点包括： 单向导电性：二极管的核心特性是其只允许电流单向通过。 正向特性：当二极管的正极连接到高电位，负极连接到低电位时，二极管处于正向偏置状态，此时二极管导通。

硅和锗两种二极管的特性曲线,有何区别?

1、硅和锗两种二极管的特性曲线，两者有以下几点差异：1） 硅二极管反向电流比锗二极管反向电流小的多，锗管为mA级，硅管为nA级。这是因为在相同温度下锗的ni比硅的ni要高出约三个数量级，所以在相同掺杂浓度下硅的少子浓度比锗的少子浓度低的多，故硅管的反向饱和电流Is很小。

2、硅二极管与锗二极管在性能曲线方面存在显著差异。其主要区别体现在以下几个方面：首先，硅二极管的反向电流远低于锗二极管。在相同温度下，硅的杂质浓度比锗高约三个数量级，因此在相同掺杂浓度下，硅中的少数载流子浓度远低于锗，导致硅二极管的反向饱和电流（Is）非常小。

3、硅二极管与锗二极管的区别主要如下：在电流相同时，锗管的直流电阻小于硅管的直流电阻。而硅管的交流电阻小于锗管的交流电阻。

4、硅管和锗管的伏安特性曲线形状一样，那只是为了便于理解。如果把数值标在坐标上就能看出区别，两种管子的正向导通电压分别是0.6和0.2V。实际上即使同类型的不同二极管，其伏安曲线也有很大区别。也就是说，日常见到的曲线是定性说明问题的，真正设计电路时要看厂家提供的性能参数。

5、一旦开始导通，两者电流增大的速度也有所不同。锗二极管的电流上升较慢，而硅二极管的电流响应则更快。这可以从它们的直流电阻特性中看出，通常情况下，锗管的直流电阻要低于硅管。然而，当涉及到交流性能时，硅二极管的表现优于锗二极管，硅管的交流电阻较小。

6、硅二极管与锗二极管的区别主要如下：在电流相同时，锗管的直流电阻小于硅管的直流电阻。而硅管的交流电阻小于锗管的交流电阻。锗管的漏电流远远大于硅管，且随着温度的增加，漏电流也会剧烈的上升。也就是说锗管的“热稳定性”非常差。这就是锗管基本被淘汰的最主要的原因。

二极管伏安特性曲线问题(鄙视粘贴狂人)

1、二极管的伏安特性是指流过二极管的电流iD与加于二极管两端的电压uD之间的关系或曲线。用逐点测量的方法测绘出来或用晶体管图示仪显示出来的U～I曲线，称二极管的伏安特性曲线。下图 是二极管的伏安特性曲线示意图，依此为例说明其特性。

什么是二极管的门限电压

二极管是单向导电器件，其导通条件是在它的两个电极上施以正向电压，所谓正向是压就是在二极管的正极上施加正电压而二极管的负极上必须是对正极为负的电压。

在正向电压很小时，通过二极管的电流很小，只有正向电压达到某一数值Ur后，电流才明显增长。通常把电压Ur称为二极管的门限电压，也称为死区电压或阈值电压。由于硅二极管的Is远小于锗二极管的Is，所以硅二极管的门限电压大于锗二极管的门限电压。

简单一点的说：就是利用二极管的特性 正向导通 的门限电压值来会限幅的。 假如 ：图的两端一个交流信号。 当 左边是正压波 D2 R2 是反向截止不通行，D1R1可以导通。但是在D1没能达到导通电压的时候是不通行的。只有到了D1的导通电压值时。信号电压 经 R1 D1 电路 分流降压 回到右端。

门限电压通常被定义作为门电压，是指逆温层形成在绝缘层（氧化物）和基体（身体）之间的接口晶体管。在nMOSFET晶体管的基体由p类型硅组成，正面地充电流动孔作为载体。当正面电压是应用的在门， 电场造成孔从接口被排斥，创造a 势垒区包含固定消极地被充电的接收器离子。

通常把电压Ur称为二极管的门限电压，也称为死区电压或阈值电压。由于硅二极管的Is远小于锗二极管的Is，所以硅二极管的门限电压大于锗二极管的门限电压。一般硅二极管的门限电压约为0.5V~0.6V， 锗二极管的门限电压约为0.1V~0.2V。

Uγ 被称为门限电压或阀电压。Uγ视二极管材料和温度的不同而不同，常温下，硅管一般为0.5V左右，锗管为0.1V左右。在实际应用中，常把正向特性较直部分延长交于横轴的一点，定为门限电压Uγ的值，如图中虚线与U轴的交点。 当正向电压大于Uγ以后，正向电流随正向电压几乎线性增长。