可控硅反向电压（可控硅反压关断电路）

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可控硅主要参数

1、可控硅的参数主要有以下几个： 额定通态电流 可控硅的额定通态电流是指在规定的条件下，可控硅能够连续承受的最大通态电流。这是衡量可控硅性能的重要参数之一，通常与器件的散热能力有关。 反向击穿电压 反向击穿电压是指可控硅在关断状态下能够承受的反向电压最大值。

2、可控硅的主要参数包括额定通态电流（IT）、反向重复峰值电压（VRRM或VDRM）、控制极触发电流（IGT）和额定正向平均电流。首先，额定通态电流（IT）指的是可控硅在最大稳定工作电流下能承受的电流值，也称为电流。IT的数值通常在1安到几十安之间。

3、可控硅的主要参数： 1 额定通态电流（IT）即最大稳定工作电流，俗称电流。常用可控硅的IT一般为一安到几十安。 2 反向重复峰值电压（VRRM）或断态重复峰值电压（VDRM），俗称耐压。常用可控硅的VRRM/VDRM一般为几百伏到一千伏。 3 控制极触发电流（IGT），俗称触发电流。

4、可控硅的主要参数：1 额定通态电流（IT）即最大稳定工作电流，俗称电流。常用可控硅的IT一般为一安到几十安。2 反向重复峰值电压（VRRM）或断态重复峰值电压（VDRM），俗称耐压。常用可控硅的 VRRM/VDRM一般为几百伏到一千伏。3 控制极触发电流（IGT），俗称触发电流。

5、BT136是4A双向可控硅，可用任何4A以上可控硅代用，只要耐_达标即可。双向可控硅是一种硅可控整流器件，也称作双向晶闸管。这种器件在电路中能够实现交流电的无触点控制，以小电流控制大电流，具有无火花、动作快、寿命长、可靠性高以及简化电路结构等优点。

可控硅控制电压原理是什么

可控硅的控制电压原理是通过控制四极管的电压来控制三极管的导通状态。当四极管的电压达到一定的阈值时，三极管就会导通；当四极管的电压降低到另一个阈值时，三极管就会断开。这样就可以通过控制四极管的电压来控制三极管的导通状态，从而实现控制电压的目的。

可控硅的工作原理是利用电流与电压的特殊关系来控制电流流动。在给定电压范围内，可控硅的电流增长是非线性的，且会在一个特定的电压（称为“压控点”）处出现转折。由于可控硅的压控点可以通过调节电压来控制，因此可以使用可控硅来调节电压。在可控硅中，通常使用电流限制电路来控制电流的流动。

可控硅调压器工作原理可控硅（siliconcontrolledrectifier，SCR）调压器是一种电子电路，它通过控制SCR的导通状态来控制电路中电压和电流的大小。工作原理：电源通过限流电阻限制电流大小，并经过控制电路将电源输入到SCR的控制端。

可控硅整流基本伏安特性

可控硅整流的伏安特性分为反向和正向两个主要阶段： 反向特性：当控制极断开，阳极施加反向电压时（如图3所示），J2结呈现出正偏，而J1和J2结则呈反偏。这个阶段只允许很小的反向饱和电流。当电压上升到足以使J1结发生雪崩击穿时，J3结也会随之击穿，电流迅速增加，特性曲线开始弯曲，如OR段所示。

双向可控硅的伏安特性主要分为反向特性和正向特性。在反向特性中，当控制极开路，阳极加上反向电压时，J2结正偏，但JJ2结反偏。此时只能流过很小的反向饱和电流，当电压进一步提高到J1结的雪崩击穿电压后，接差J3结也击穿，电流迅速增加，特性开始弯曲。

工作原理上，可控硅可以看作是由两个PNP和NPN管组成，阳极正向偏压时，通过控制极的触发信号使可控硅饱和导通，即使控制信号消失，仍能维持导通，显示出不可关断的特性。其基本伏安特性分为反向和正向特性，通过改变触发条件，实现开关特性。

常用可控硅主要参数

1、可控硅的主要参数： 1 额定通态电流（IT）即最大稳定工作电流，俗称电流。常用可控硅的IT一般为一安到几十安。 2 反向重复峰值电压（VRRM）或断态重复峰值电压（VDRM），俗称耐压。常用可控硅的VRRM/VDRM一般为几百伏到一千伏。 3 控制极触发电流（IGT），俗称触发电流。

2、可控硅的参数主要有以下几个： 额定通态电流 可控硅的额定通态电流是指在规定的条件下，可控硅能够连续承受的最大通态电流。这是衡量可控硅性能的重要参数之一，通常与器件的散热能力有关。 反向击穿电压 反向击穿电压是指可控硅在关断状态下能够承受的反向电压最大值。

3、可控硅的主要参数包括额定通态电流（IT）、反向重复峰值电压（VRRM或VDRM）、控制极触发电流（IGT）和额定正向平均电流。首先，额定通态电流（IT）指的是可控硅在最大稳定工作电流下能承受的电流值，也称为电流。IT的数值通常在1安到几十安之间。

4、BT136是4A双向可控硅，可用任何4A以上可控硅代用，只要耐_达标即可。双向可控硅是一种硅可控整流器件，也称作双向晶闸管。这种器件在电路中能够实现交流电的无触点控制，以小电流控制大电流，具有无火花、动作快、寿命长、可靠性高以及简化电路结构等优点。

5、可控硅的主要参数：1 额定通态电流（IT）即最大稳定工作电流，俗称电流。常用可控硅的IT一般为一安到几十安。2 反向重复峰值电压（VRRM）或断态重复峰值电压（VDRM），俗称耐压。常用可控硅的 VRRM/VDRM一般为几百伏到一千伏。3 控制极触发电流（IGT），俗称触发电流。

6、BT1313及138参数一样：如图所示：600V反向重复峰值电压VRRM：600V通态平均电流IT：4A通态不重复浪涌电流ITSM：40A最高结温Tjm：110 ℃贮存温度。BT138是双向可控硅，在两旁供给一点的电流（不管电流方向）左边和之间两个引脚就导通了（有一定的压降）。可控硅BT137 600E可以代替BT136 600E。

双向可控硅伏安特性

1、双向可控硅的伏安特性主要分为反向特性和正向特性。在反向特性中，当控制极开路，阳极加上反向电压时，J2结正偏，但JJ2结反偏。此时只能流过很小的反向饱和电流，当电压进一步提高到J1结的雪崩击穿电压后，接差J3结也击穿，电流迅速增加，特性开始弯曲。

2、电压便迅速下降，出现所谓负阻特性。这时JJJ3三个结均处于正偏，可控硅便进入正向导电状态---通态，此时，它的特性与普通的PN结正向特性相似。

3、双向可控硅：有两个主电极T1和T2， 一个门极G， 门极使器件在主电极的正反两个方向均可触发导通，所以双向可控硅在第1和第3象限有对称的伏安特性。

可控硅参数

可控硅的参数主要有以下几个： 额定通态电流 可控硅的额定通态电流是指在规定的条件下，可控硅能够连续承受的最大通态电流。这是衡量可控硅性能的重要参数之一，通常与器件的散热能力有关。 反向击穿电压 反向击穿电压是指可控硅在关断状态下能够承受的反向电压最大值。

可控硅的主要参数包括额定通态电流（IT）、反向重复峰值电压（VRRM或VDRM）、控制极触发电流（IGT）和额定正向平均电流。首先，额定通态电流（IT）指的是可控硅在最大稳定工作电流下能承受的电流值，也称为电流。IT的数值通常在1安到几十安之间。

可控硅的主要参数： 1 额定通态电流（IT）即最大稳定工作电流，俗称电流。常用可控硅的IT一般为一安到几十安。 2 反向重复峰值电压（VRRM）或断态重复峰值电压（VDRM），俗称耐压。常用可控硅的VRRM/VDRM一般为几百伏到一千伏。 3 控制极触发电流（IGT），俗称触发电流。

BT136是4A双向可控硅，可用任何4A以上可控硅代用，只要耐_达标即可。双向可控硅是一种硅可控整流器件，也称作双向晶闸管。这种器件在电路中能够实现交流电的无触点控制，以小电流控制大电流，具有无火花、动作快、寿命长、可靠性高以及简化电路结构等优点。

BT1313及138参数一样：如图所示：600V反向重复峰值电压VRRM：600V通态平均电流IT：4A通态不重复浪涌电流ITSM：40A最高结温Tjm：110 ℃贮存温度。BT138是双向可控硅，在两旁供给一点的电流（不管电流方向）左边和之间两个引脚就导通了（有一定的压降）。可控硅BT137 600E可以代替BT136 600E。

可控硅的主要参数：1 额定通态电流（IT）即最大稳定工作电流，俗称电流。常用可控硅的IT一般为一安到几十安。2 反向重复峰值电压（VRRM）或断态重复峰值电压（VDRM），俗称耐压。常用可控硅的 VRRM/VDRM一般为几百伏到一千伏。3 控制极触发电流（IGT），俗称触发电流。

关键词：可控硅反向电压