电压驱动（IGBT是电流驱动还是电压驱动）
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电压驱动和电流驱动有什么区别?
区别三：从接受性方面：器件接受电压的变化输入后，它的外部特性改变大，还是接受电流输入变化后，它的外部特性改变大。
与电压驱动不同，电流驱动是指电子设备的运行或电子元件的工作状态主要取决于通过其的电流大小和方向。在电流驱动型元件中，电流是控制设备状态的主要因素。例如，在LED（发光二极管）中，电流的大小直接决定了LED的亮度。
区别如下：电压驱动的如：场效应管，因为它的内阻很大，加电压控制时电流很小，近似为零，所以可以理解成：电压驱动；电流驱动的如：普通的NPN、PNP型三极管，因为它的内阻较小，加电压控制时电流相对较大（一般小功率的都有100uA以上，大功率的可达20mA以上），所以可以理解成电压驱动。
特性上的特点，电压型为负载短路时产生过电流，开环电动机也可能稳定运转；电流型为负载短路时能抑制过电流，电动机运转不稳定需要反馈控制。电流型逆变器采用自然换流的晶闸管作为功率开关，其直流侧电感比较昂贵，而且应用于双馈调速中，在过同步速时需要换流电路，在低转差频率的条件下性能也比较差。
什么叫电压驱动型器件?
电压驱动型器件有场效应管（FET）、绝缘栅双极晶体管（IGBT）、电力场效应晶体管（电力MOSFET）等。电压驱动型器件包括场效应管（FET）、绝缘栅双极晶体管（IGBT）、电力场效应晶体管（电力MOSFET）等。这些器件主要通过对G、S端施加电压来控制D、S内部通道的宽窄，从而控制D、S两端的电流。
电压驱动型器件：其控制端和公共端之间的信号为电压信号，例如IGBT、Power MOSFET和SITH（静电感应晶闸管）。 电流驱动型器件：控制端和公共端之间的信号为电流信号，如晶闸管、GTO和GTR。按有效信号波形分类，有： 脉冲触发型：需要脉冲信号来触发操作，如晶闸管和GTO。
电压驱动是指电子设备的运行或电子元件的工作状态主要取决于施加在其两端的电压大小和方向。在电压驱动型元件中，电压是控制电流流动的关键因素。例如，在电阻器中，电压与电流成正比，当电压改变时，电流也会相应变化。在电压驱动型设备中，电压的稳定性对于设备的正常工作至关重要。
MOSFET是电压驱动型器件，不同于双极晶体管的电流驱动。它的栅极与源极间施加电压时，会在漏极产生电流。MOSFET的栅极通常被比喻为电容，其特性包括：电压驱动：无直流电流流入栅极。栅极阈值电压：开通MOSFET需施加高于此电压的电压。稳态下功耗低：处于开启或关闭状态时，基本无功耗。
电压驱动型电力电子器件主要包括金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）和绝缘栅双极型晶体管（IGBT）。首先，MOSFET是一种电压控制电流型器件，具有输入阻抗高、驱动功率小、开关速度快、工作频率高等优点。它的工作原理是通过在栅极上施加电压来控制源漏极之间的通断。
- 双极型器件：电子和空穴两种载流子都参与导电，如GTO和GTO。- 复合型器件：结合单极型和双极型器件特点的混合器件，例如IGBT（绝缘栅双极型晶体管）。 根据控制端和公共端间信号的性质，电力电子器件可以分为：- 电流驱动型：需要通过电流信号来控制器件的导通与关断，如晶闸管。
什么是电压驱动?什么是电流驱动?
1、电压驱动和电流驱动是电子学中的两种基本驱动方式，它们在电子设备的运行和电路设计中起着重要作用。电压驱动是指电子设备的运行或电子元件的工作状态主要取决于施加在其两端的电压大小和方向。在电压驱动型元件中，电压是控制电流流动的关键因素。
2、电压驱动的如：场效应管，因为它的内阻很大，加电压控制时电流很小，近似为零，所以可以理解成：电压驱动；电流驱动的如：普通的NPN、PNP型三极管，因为它的内阻较小，加电压控制时电流相对较大（一般小功率的都有100uA以上，大功率的可达20mA以上），所以可以理解成电压驱动。
3、电压驱动，需要加上合适的电阻，才可以驱动电路；电流驱动，可以直接驱动电路。位于主电路和控制电路之间，对控制电路的信号进行放大的中间电路就是驱动电路。LED驱动器指驱动LED发光或LED模块组件正常工作的电源调整电子器件。
4、电压驱动电路：是在喷油的时间内，对喷油器施加一稳定的电压。特点：喷油器阀开启速率较低，喷油器的动态响应较差。
电压驱动型电力电子器件有哪些
电压驱动型器件有场效应管（FET）、绝缘栅双极晶体管（IGBT）、电力场效应晶体管（电力MOSFET）等。电压驱动型器件包括场效应管（FET）、绝缘栅双极晶体管（IGBT）、电力场效应晶体管（电力MOSFET）等。这些器件主要通过对G、S端施加电压来控制D、S内部通道的宽窄，从而控制D、S两端的电流。
电压驱动型电力电子器件主要包括金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）和绝缘栅双极型晶体管（IGBT）。首先，MOSFET是一种电压控制电流型器件，具有输入阻抗高、驱动功率小、开关速度快、工作频率高等优点。它的工作原理是通过在栅极上施加电压来控制源漏极之间的通断。
电压驱动型器件，例如IGBT、MOSFET、SITH（静电感应晶闸管）；电流驱动型器件，例如晶闸管、GTO、GTR。根据驱动电路加在电力电子器件控制端和公共端之间的有效信号波形分类：脉冲触发型，例如晶闸管、GTO；电子控制型，例如GTR、MOSFET、IGNT。
电压驱动型器件有IGBT、Power MOSFET与SITH，电流驱动型器件有晶闸管、GTO与GTR。脉冲触发型器件如晶闸管与GTO，电子控制型器件如GTR、PowerMOSFET与IGBT。
电压驱动型器件，例如IGBT、MOSFET和SITH（静电感应晶闸管）。 电流驱动型器件，例如晶闸管、GTO和GTR。按驱动信号波形分类： 脉冲触发型，例如晶闸管和GTO。 电子控制型，例如GTR、MOSFET和IGBT。按器件内部载流子类型分类： 双极型器件，例如电力二极管、晶闸管、GTO和GTR。
按器件能否被控制信号控制，可分为半控型、全控型和不可控型。半控型如晶闸管；全控型如GTO、GTR、Power MOSFET和IGBT；不可控型如电力二极管。 按控制信号的性质，可分为电压驱动型和电流驱动型。电压驱动型如IGBT、Power MOSFET、SITH；电流驱动型如晶闸管、GTO、GTR。
