电容电压曲线（电容电压曲线测试）

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如何用三要素法求解电容电压Uc(0-)

1、由于电容的开路，8kΩ电阻中无电流、无电压，UI那次：Uc（∞）=Uab=18×6/（3+6）=12（V）。电压源短路，从电容两端看进去：R=8+3∥6=10（kΩ），电路的时间常数为：τ=RC=10×1000×5/1000000=0.05（s）。

2、换路定理：Uc（0+）=Uc（0-）=6V。t=∞时，电容通过电阻放电，而左侧的电压源被开关S短路，无法给电容充电，因此：Uc（∞）=0。电压源短路，从电容两端看进去，等效电阻：R=8+3∥6=10（Ω），时间常数：τ=RC=10×1=10（s）。

3、电流源开路，从电容两端看进去，等效电阻为：R=1Ω，时间常数：τ=RC=1×0.1=0.1（s）。三要素法：uc（t）=uc（∞）+[uc（0+）-uc（∞）]e^（-t/τ）=0+（4-0）e^（-t/0.1）=4e^（-10t） （V）。i（t）=2+（6-2）e^（-t/0.1）=2+4e^（-10t） （A）。

4、换路后的稳态，用下面电路，由于电容看成开路，电流源电流全部流过左边4欧的电阻，即i1=2A，受控电压源两端电压为2i1=2*2=4V。左边4欧的电阻上的电压为8V。

5、Uc（0-）=E1×R2/（R1+R2）。换路定理：Uc（0+）=Uc（0-）=E1×R2/（R1+R2）。t=∞时，电容再次相当于开路，等效电路见下图：Uc（∞）=E2×R2/（R1+R2）。将电压源短路，从电容两端看进去的等效电阻为：R=R1∥R2，时间常数为：τ=RC。

6、KCL：i（0+）=1+5=5（A）。t=∞时，电容相当于开路。i（∞）=（50-20）/20=5A。电源置零，从电容两端看进去的等效电阻为：R=30Ω，时间常数：τ=RC=30×100/1000000=0.003（s）。

MOS管的C-V电容变化曲线

通过0.18工艺的5V MOS管，可仿真MOS电容：执行ac仿真，Gate上电压交流信号幅度为1，扫描直流电压V，频率固定为一定值1/2π。电容值通过以下公式计算，电流I等于电容值。 当source、drain与背栅连接。

电容的定义是电荷对电压的微分，因此C-V曲线的计算正是从Q-V曲线求导计算出来的。

MIS结构，由金属、绝缘层与半导体组成，是MOS晶体管等表面器件的基本组成，电容为MIS结构的重要电特性。理想MIS结构包括金属层足够厚，绝缘层在静态条件下无电流流过，绝缘层内无电荷中心，半导体均匀掺杂等特性。其C-V特性受到外加电压影响，绝缘层内电场均匀分布，电场强度与绝缘层厚度、相对介电常数相关。

对单边突变的p+-n结，其势垒电容C与电压V之间的关系可表示为：1/C2 = 2（ Vbi –V）/（qεNdA2 ），则可通过测量1/C2~V关系曲线的斜率和截距来求得n型一边的掺杂浓度Nd和结的内建电势Vbi 。对线性缓变结， 也可以通过测量1/C3~V关系曲线来求得Nd和Vbi 。

首先，我不懂什么CV曲线和极谱分析，就好奇的搜索，真找到与你的问题相关的文章，也不知道是否对你有用，你自己去看，在百度文库里两篇文章搜索关键字“CV曲线分析”，“MOS C-V技术讲座演示稿”，有用你就看看，没用只能说“对不起，耽误您时间了”。

MOSFET的电容特性随栅压变化，从多子积累、平带、耗尽到反型，电容值相应变化。在高频交流信号下，反型层的电子供应受限，电容表现可能与氧化层电容并联。实际MOSFET会受到功函数差、电荷和界面态的影响，导致C-V特性与理想情况有所偏差，这通过调整平带电压和阈值电压的计算公式来体现。

2根据实验曲线的结果说明电容充电放电时电流电压变化规律及电路参数的影...

1、电容器充放电时电流电压变化规律都是指数曲线，曲线衰减快慢可以用电路的时间常数τ（这里是tao哈）来表示，τ可以根据R和C计算，即τ=RC，若R的单位为欧姆，C的单位为法拉，则τ的单位为秒。τ越大，过渡过程就越长。一般经过3～5τ的时间后，过渡过程趋于结束。

2、电容器在充电过程中，电流随时间逐渐减小，电压则逐渐增加。充电曲线呈指数增长，其形状由电路的时间常数τ决定。时间常数τ由电阻R和电容C的乘积确定，τ = RC。 在放电过程中，电流随时间减少，电压逐渐降低，放电曲线同样呈现指数衰减形态。

3、在电容器充电时，电流会随着时间的推移而逐渐减小，最终趋近于零。这是因为电容器内部的电荷随着时间的变化而逐渐增加，电容器的电压也会随之增加，最终达到与电源相等的电压值，电流则会停止。因此，在充电初期，电流比较大，而充电后期，电流变得很小甚至为零。

什么是电容器充放电时电流电压特性曲线?

电容器是一种能够储存电荷的器件，在电子学中得到了广泛的应用。当电容器进行充放电时，电流和电压都会随着时间的变化而发生变化。充放电的过程是一个动态的过程，下面将从电流和电压两个方面来分析电容器充放电的规律。在电容器充电时，电流会随着时间的推移而逐渐减小，最终趋近于零。

电容充电曲线展示了电压 U 随时间 t 的变化过程，而放电曲线则描述了电压 U 随时间 t 的衰减情况。在电容充电电路中，通过调整电阻 R0 的值，可以观察到曲线的形状和动态特性。

该曲线代表的意思是电容两端如果加入直流电压时，电容值会随着直流电压的上升而降低。电容的直流交流偏置特性曲线描述了电容器在直流（DC）和交流（AC）偏置下的行为。当一个电容器同时受到直流电压偏置和交流信号的影响时，其电容特性会产生变化。

实际中，电容器的充放电过程并非瞬间完成，因此曲线呈现为一条倾斜且弯曲的线，这反映了电容器的动态充放电特性。此外，不同电容器的性能受到内部电阻、温度等因素的影响，导致其充放电行为存在差异。在分析CV曲线时，重要的是理解不同电位区域的反应行为。

非线性元件的伏安特性曲线是一种描述电阻、电容、电感等非线性元件电压和电流关系的曲线。与线性元件不同，非线性元件的电流和电压并不成比例关系，而是通过一定的非线性函数相互关联。例如，对于一个电容元件，当电压发生变化时，它的电流也会随着变化，但它们之间的关系满足非线性函数的规律。

放电 电容器充放电的特点及规律 根据上面所得到的电容器的充放电时UC、IC的数据和曲线，可以归纳出几点很有实用价值的规律。①电容器的充放电是需要时间的。这是由于电容器的充放电过程，实质是电容器上电荷的积累和消散的过程，由于电荷量的变化是需要时间的，所以充放电也是需要时间的。

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