电压源公式（电压源的计算公式）
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求电压源、电流源的内阻?
为了求电压源的内阻Req，将电压源短路（即视为0电压源），此时电路简化为电流源和内阻并联，再与R2串联。根据并联电阻的计算公式，Req = Rab = R∥（R3 + R1） + R2 = 10∥（510 + 330） + 510 = 518823 ≈ 520（Ω）。
根据KVL：R3×i+R1×（i+20）+R×i=Us，0.51i+0.33×（i+20）+0.01×i=12。解得：i=3529（mA）。所以：Uoc=Uab=Us-R×i+R2×Is=12-0.01×3529+0.51×20=2136471（V）。
将电压源短路，电流源开路，然后从端口看进去的总电阻（可以假设加一个电压，看电流多少，R＝U/I）就是等效内阻。
带隙基准电压源电路及其公式推导
1、带隙基准电压源电路的公式推导如下：假设带隙基准电压源电路由一个PN结和一个电流源Ibias组成。根据二极管的伏安特性，有如下公式：I = I_s * [exp（Vd / Vt） - 1]其中，I为二极管电流，I_s为饱和电流，Vd为二极管的两端电压，Vt为热电压，约为25mV。
2、带隙基准电压源中，基准电压为VRef=Eg/q=205V，那么基准电压VRef的温度系数恰好为零。式中的q为电子电荷，Eg为硅的禁带宽度2eV。
3、带隙基准电路是一种特殊的电压基准设计，其原理是通过抵消温度变化对电压的影响，实现温度稳定输出。要构建这种电路，关键在于找到温度系数为0的电压源。
4、带隙基准电压源的原理是利用半导体材料的带隙能量与温度之间的特定关系来生成一个与温度无关或具有极低温度系数的稳定电压。半导体材料的带隙能量是指价带顶和导带底之间的能量差，它决定了半导体材料的基本电学特性。
求并联电源的电压公式
1、并联电压计算公式是V=V1+V2+V3+...+Vn，其中V表示总电压，VVV3等表示各个电压源的电压。在计算并联电压时，需要考虑电压源的数量、大小和正负极性。通过示例计算，我们能更好地理解并联电压计算公式的应用。
2、若已知并联电路中各电阻的阻值与电源电压，通过公式电源电压=各并联电路电流×任意电阻值，可求得电源电压。并联电路电流可通过基尔霍夫定律求出，即并联电路电流等于总电路电流。因此，可以通过公式各并联电路电流=总电路电流×（任意一个电阻倒数÷所有电阻倒数之和）来计算。
3、并联表达式U总=U1=U2=U3…Ux文字叙述在并联电路中，各支路用电器两端的电压相等。计算公式U=IR=P/I特点并联电路中，滑动变阻器移动会影响电压，支路中，电压变小，则各处电压都变小。电压表运用将电压表并联在并联电路中任何地方测得的电压值都是一样的。
4、总之，并联电路的电压计算主要是根据并联电路的特点来进行的。在计算过程中，我们需要根据实际情况选择合适的公式进行计算。同时，我们还需要注意一些特殊情况，例如当电源内阻不为零时，总电压不等于各支路电压之和；当电路中有非线性元件时，欧姆定律不适用等等。这些情况需要根据实际情况进行具体分析。
电压源可以等效转换为一个理想电流源.
1、电压源可以等效转换为一个理想的电流源 I S 和一个电阻 R S 的并联，电流源可以等效转换为一个理想电压源 U S 和一个电阻 R S 的串联。即转换公式： U S =R S *I S。需要注意的是，转换前后 U S 与 I s 的方向， I s 应该从电压源的正极流出。
2、就问题本身而言，理想电压源和理想电流源是没法进行变换的。因为理想的电压源本身没有内阻，也就是内阻r=0；变换为电流源时，等效的电流源Is=E/r=∞，这在实际中是不可能的。同样，理想电流源并联的内阻r=∞，那么等效变换为电压源时，E=Is×r=∞，现实中也是不存在的。
3、电压源转换为电流源，等效为一个理想的电流源IS与一个电阻RS的并联。电流源转换为电压源，则为理想电压源US与电阻RS的串联。转换公式：Us = Rs*Is。转换时须注意，转换前后US与Is的方向保持一致，且Is从电压源正极流出。此转换仅适用于外电路，对内电路不适用。
