三极管开启电压的简单介绍

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三极管9013、9014的e、b极之间的开启电压是多少

开启电压一般在0.5V左右，完全导通要0.6-0.7V，而且跟温度有关。

硅三极管的 B（基极）、E（发射极）电 压降一般0.6伏到0.7伏之间。温度越高压降越低，反之相反。当然基极电流也有关，因为电流越大温度相应增高。C（集电极）、E（发射极）电压降是，由集电极发射极回路电阻决定电压。

集电极－基电压45V，9014集电极－基电压50V 集电极电流不同。9013集电极电流0．5A，9014集电极电流0．1A 放大倍数不同 9013放大倍数：D64－91E78－112F96－135G122－166H144－220I190－300，9014放大倍数：A60－150B100－300C200－600D400－1000。

Rbe不是一恒定的参数。都是电流决定的。不是个固定的数。因为当BE结电流是0.1mA时，Vbe是0.7V，当BE结流过电流是5mA时候，Vbe还是0.7V，而Rbe= Vbe除以Ib ，Vbe不变，电流在变，所以Rbe也在变。

它们的区别就是参数不同。9013耐压值为20V，Pcm=625mW，Icm=500mA。9014耐压值为40V，Pcm=400mW，Icm=100mA。可见，9013耐压值较低，但功率比9014大一些。它们引脚排列完全相同，一般情况下可以互换使用。你面对型号，从左到右引脚依次是e、b、c。补充：9012和9015才是PNP型三极管。

三极管8050的开启电压是多少?

三极管作开关电路用时”发射极应该接负极（也就是线路中的地）。三极管的发射极出现9V电压，而且高于三极管集电极的5V，即说明是线路连接错误。基极用5V”控制时，要加限流电阻即可解决。

在上述条件下，8050在导通时的UCE约为0.1~0.3V，这个数值是制造时就确定了的，我们要求越小越好。截止时的UCE为109V，这个电压由两个电阻的分压决定。

集电极与发射极饱和电压（VCE（SAT）：约0.2V（Ic=0.5A， VCE=10V）。三极管8050是一种常用的硅NPN型三极管，具有高输入阻抗和低噪声等特点，因此在电子电路中有着广泛的应用。

npn硅三极管的开启电压是多少

硅半导体PN结的伏安特性曲线是一条类似于I=U*U（向下稍有平移）的二次曲线（如图），它的初始导通电压其实并不到0.7V，0.7V是充分导通状态了，通常工作在放大状态下的三极管的基极电流很小，发射结达不到充分导通状态，当发射结进入充分导通状态时，三极管可能进入饱和状态了。

硅管：NPN，基极大于发射极0.7V，但实际使用0.5V左右就导通了 PNP，发射极大于基极0.7V 锗管：NPN，基极大于发射极0.3V PNP，发射基大于基极0.3V 硅材料的NPN三级管工作在饱和区时，集电极和发射极间也会存在0.3V左右的压差。0.3V乘以流过三极管电流可以计算三极管使用中的功率。

对于NPN型硅三极管，当基极电压高于发射极0.6V左右，集电极电压高于发射极电压0.4V以上且低于电源电压时，该三极管处于放大状态；当基极电压高于发射极0.4V以下或低于发射极电压时，处于截止状态；当基极电压高于发射极0.6V左右，集电极电压高于发射极0.3V左右，处于饱和状态。

对于 NPN 型的三极管，通常可认为发射极接地，基极的电压，应设为 0.7V。此时，发射结就是正偏，电流 Ib 由基极流向发射极。这个基极电流，主要是由发射区（N型，自由电子极多）向基区发出的电子构成的。

NPN的电压关系：CBE PNP的电压关系：CBE 当B和E的电压差为0.7V时，为硅管；电压差为0.2V时，为锗管。以上的判断依据是三极管处于放大状态的前提下，三极管处于截止和饱和状态的时候，要根据具体情况来判断。实际上，一般题目都是判断放大状态下的三极管。

①、关于以上的万用表上那“NPN”与PNP的区别问题是这样的，比如说，NPN型三极管属于硅三极管，此三极管的导通压降为0.5-0.6V，所以当NPN硅插入管座内组成的三极管放大电路b和e极导通电压为0.5-0.6V，此时，被插入的这NPN硅三极管与此座内组成一个三极管放大电路这样即可测量出该三极管的放大倍数。

三极管开关状态的条件和特性是什么

三极管处于开关状态的条件，三极管处于饱和和截止状态，相当于开和关状态，以NPN管为例，偏置电压状态是Ube0，7V，Uc=电源电压，此时处于截止关状态，Ube0.7V，Ub=Uc，此时处于饱和开通状态。

半导体三极管有三种工作状态：放大、截止和饱和。三种工作状态在开光状态对应的条件不同。当发射极和集电极的电压超过一定数值后，Ic=βIb，晶体管具有电流放大作用，处于放大区，发射极处于正向偏置，集电极处于反向偏置。当Ib=0时，Ic=0。

基极与发射极间正向偏置：使得基极与发射极之间的电压为正，并且大于一定的电压阈值（通常约为0.7V）。集电极与基极间正向偏置：同时确保集电极与基极之间的电压也为正，且大于一定的电压阈值。当这些条件满足时，NPN三极管就会处于导通状态。

在电路中，三极管可以工作于三种状态：截止状态、放大状态和饱和状态。每种状态都对应着不同的工作区域，分别是截止区、放大区和饱和区。当三极管用于特定电路时，其工作状态会直接影响电路的性能。在截止区，三极管的b极无电流通过，c到e之间的阻值无限大，电流也无法通过。

只有三极管工作在饱和状态和截止状态时，具有开关特性。（1）放大区 在IB=0的那条特性曲线上，各条特性曲线起始的陡斜部分右侧的区域为放大区。只有在放大区，IB的微小变化才会引起IC有很大的变化。同时IC的变化基本上与UCE无关，它只受IB的控制。

模拟电路中三极管是不是工作在开启电压和导通电压之间

1、锗 0.3的样子）。三极管的B、E极的电流就是调节三极管“阻抗”的控制电流，它的大小可以改变三极管C、E极间的“阻抗”。但是，B、E间的电压必须达到一定的工作电压才可以使三极管工作。这个电压就是开启电压（硅0.7 锗 0.3）。达到这个电压后三极管开始工作在放大状态。

2、NPN型三极管和PNP型三极管的导通条件，晶体管的工作区域可以分为三个区域：截止区：其特征是发射结电压小于开启电压且集电结反向偏置。对于共射电路，UBE=UON且UCEUBE 。此时iB=0，而iC=ICEO。小功率硅管的iCEO+在1uA以下，锗管的iCEO小于几十微安。因此在近似计算时认为晶体管截止时的iC=0。

3、通常在数字电路中，三极管工作在开关状态，也就是你所说的饱和区和截止区，而不工作于放大区（线性区）。因为数字电路只有两种状态，要么是1，要么是0，也就对应着三极管的导通和截止。三极管在开关状态下应用，不需要严格的计算偏置电路参数，并且管耗也较小。

4、三极管做开关时是使其工作在饱和和截止区域的。

5、模拟电路中的三极管工作在线性放大区，是一个放大元件；数字电路中的三极管工作在饱和或截止状态，起开关作用。三极管有基极b、集电极c、发射级e三极，在数字电路中三极管一般都做“开关”用，做开关时“基极b”的电压如高于“发射级e”0.7V就导通，我们叫“Vbe0.7V”导通。

6、一般来讲，基极设置有偏流电阻的，就是放大电路，没有设置偏流电阻的，就是开关电路。判断三极管的作用是放大还是开关的方法：从工作原理分，开关作用工作在数字电路，放大作用工作在模拟电路。

关键词：三极管开启电压