igbt最高电压（igbt最大可以承受几倍电流）
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目前单只IGBT管最高电压等级能做到多少?
1、看应用场合，40N120，电压等级1200V，Ic也有55A；60N100，电压等级1000V，电流60A。
2、不同电压等级IGBT芯片应用及厂商布局 低压IGBT一般电压在1200V及以下，且适用于低消耗的消费电子和太阳能逆变器领域，中国本土厂商几乎都有布局低压领域。
3、英飞凌IGBT单管命名规则简洁明了，包含芯片种类、封装形式、电流等级、电压等级、芯片类型以及是否为车规级芯片。激光打标上的标志是料号的“昵称”，如H20R1203，各数位含义与料号命名规则相同。
4、大功率半导体器件一般是指电压等级在1200V以上，电流在300A以上的开关器件，包括大功率二极管、晶闸管、GTO、IGBT、IGCT、ETO等，900V以上的mosfet也可称为大功率器件，但是要看相应的电流等级。这些器件基本上是以硅材料为基础，经过不同的工艺生产条件生产出来。
5、IGBT的频率一般不会超过100KHz，但高频性能比GTR好。MOSFET 的频率理论上可以做到1MHz（1000KHz），应用范围比较多的频率段应该为几百KHz左右。
6、无法满足电力电子应用技术发展的需求，特别是在高压领域的应用中，需要达到10KV以上电压等级，目前主要通过IGBT高压串联等技术来实现。一些国际厂商如瑞士ABB公司、德国EUPEC和日本东芝等，已经开发出8KV的IGBT器件，并在6500V/600A高压大功率IGBT器件方面取得实际应用进展。
IGBT整流IGBT整流后电压有上限么?
1、可控整流一般采用半控的晶闸管或者全控的IGBT作为开关器件实现读输出电压的调节。晶闸管式的输出电压与管子的触发角度有关，IGBT整流作为全控型的整流。若采用三相半桥拓扑，则输出电压可连续调节，一般为了保证输出电流正弦，有一个输出电压最低值，理论上无上限，受器件的耐压值影响。
2、可以的，通过整流。当前传统的整流方式有三种：二极管，晶闸管和IGBT（AFE）。对于前两种，出列整流后的直流电压为线电压的35倍。当然，晶闸管，也可以调整的电压调节器的触发角，但只能转移到35倍的最大。
3、其次，电压定额也是一个重要的参数。电压定额主要取决于输入电压的最大值以及系统对电压波动的承受能力。在选择IGBT时，其额定电压应大于输入电压的最大值，并考虑到可能的电压波动。例如，如果输入电压的最大值为400V，我们可能会选择额定电压为450V或更高的IGBT。此外，功率定额也是一个需要考虑的因素。
4、通过控制IGBT（绝缘栅双极型晶体管）开关来控制直流侧的输出电压，通常是通过控制IGBT的导通角度来实现的。导通角度是指IGBT开关导通的时间占一个周期的比例。
IGBT模块参数详解一之“最大额定值”
1、首先，VCES（集电极-发射极阻断电压）是在结温范围内，允许在栅极-发射极短路状态下，IGBT在断态下承受的最大电压。手册中规定，VCES在25°C结温下给出，随温度降低会下降。在实际应用中，IGBT工作结温通常低于25℃，这里暂不详述。
2、以PDMB100B12为例，探讨IGBT的额定值和特性。首要关注的是最大额定值Tc=25℃。设计时，若施加超出额定值的负载，元件将面临立即损坏或可靠性降低的风险。因此，务必严格遵循指定的额定值进行设计。
3、栅极-发射极电压VGE定义了栅极电压的最大值，耗散功率Ptot为器件允许的最大功率耗散，运行结温Tvj和热阻Rth（j-c）与器件的热特性相关。
4、数据表第一项（Maximum ratings ，最大额定值）第一个参数（Drain-source voltage，VDSS，漏源电压），测试条件：结温25℃；其值1200V；每家均有；其含义为漏源额定电压最大值为1200V。
