锗管的死区电压（锗二极管的死区电压为多少伏）
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锗二极管的导通电压是多少?
锗二极管导通电压为0.1V-0.3V，一般取0.2V，死区电压为0.1V左右；硅二极管导通电压为0.5V-0.8V，一般取0.7V，死区电压为0.5V左右。
Uon称为死区电压，通常硅管的死区电压约为0.5V，锗管约为0.1V。当外加正向电压低于死区电压时，外电场还不足以克服内电场对扩散运动的阻挡，正向电流几乎为零。当外加正向电压超过死区电压后，内电场被大大削弱，正向电流增长很快，二极管处于正向导通状态。
硅二极管的话，导通电压为0.7V，锗二极管，导通电压为0.3V。如果是硅管，则如果二极管导通的话，两端电压是0.7V。
二极管根据材料不同，分为硅二极管和锗二极管，硅二极管的导通电压约为0.7伏，锗二极管的导通电压约为0.3伏。 当二极管两端的正向电压低于导通电压时，二极管不导电。 要使二极管导通，需要在其两端施加足够大的正向电压。 如果对二极管施加负电压，它不会导通，而是处于截止状态。
二极管的伏安特性
二极管的伏安特性是什么的答案是：正向特性。二极管伏安特性曲线的第一象限称为正向特性，它表示外加正向电压时二极管的工作情况。在正向特性的起始部分，由于正向电压很小，外电场还不足以克服内电场对多数载流子的阻碍作用，正向电流几乎为零，这一区域称为正向二极管的伏安特性曲线。
二极管的伏安特性是正向特性。二极管伏安特性曲线的第一象限称为正向特性，它表示外加正向电压时二极管的工作情况。在正向特性的起始部分，由于正向电压很小，外电场还不足以克服内电场对多数载流子的阻碍作用，正向电流几乎为零，这一区域称为正向二极管的伏安特性曲线。死区，对应的电压称为死区电压。
二极管的伏安特性存在4个区：死区电压、正向导通区、反向截止区、反向击穿区。
二极管的伏安特性是指加在二极管两端电压和流过二极管的电流之间的关系，用于定性描述这两者关系的曲线称为伏安特性曲线。晶体二极管性能参数 最大整流电流Idm：二极管连续工作允许通过的最大正向电流；电流过大，二极管会因过热烧毁；大电流整流可加装散热片。
二极管的伏安特性说明：在二极管加有正向电压，当电压值较小时，电流极小；当电压超过0.6V时，电流开始按指数规律增大。两者的伏安特性分类不同：电阻器的伏安特性分类：对大多数导体来说，在一定的温度下，其电阻几乎维持不变而为一定值，这类电阻称为线性电阻。
锗管的饱和压降和死区电压的有区别吗
任何管的死区电压和饱和压降都是有区别的。在定义上，死区电压是一个PN结的压降，饱和电压是集电极与发射极之间的电压。在数值上，即使是同一只晶体管，在不同的集电极电流条件下饱和压降都是不一样的数值，更别说与死区电压相比。
硅二极管的死区电压约为0.5V，而锗二极管约为0.1V。一旦导通，二极管两端的电压会维持在一个稳定值，称为正向电压，硅二极管的正向导通压降约为0.6至0.8V，锗二极管则约为0.2至0.3V。另一方面，当施加的是反向电压时，二极管处于截止状态，此时电流很小，称为反向饱和电流或漏电流。
二极管有正向导通特性 正向导通电流达到一定程度，行成饱和，即饱和。这个可以从二极管电流和电压曲线看出。此时电压不再随电流增加而增加。
二极管有电子二极管和晶体二极管之分，后者更常见。其单向导电特性在电路设计中至关重要，硅二极管和锗二极管的管压降不同，硅二极管正向压降约为0.7V，而锗管约为0.3V。发光二极管的正向压降随颜色变化，红色约0-2V，黄色约8-0V，绿色约0-2V。
死区电压
1、反向击穿电压是指二极管在反向击穿时所达到的电压值。在反向击穿过程中，反向电流会急剧增加，导致二极管的单向导电性被破坏，甚至可能因过热而损坏。手册中给出的最高反向工作电压VBWM通常是反向击穿电压VBR的一半。理解死区电压和反向击穿电压对于设计和优化电路至关重要，它们直接影响到电路的性能和可靠性。
2、死区电压，指的是即使加正向电压，也必须达到一定大小才开始导通，这个阈值叫死区电压。当外加正向电压Uk很低时，由于外电场还不能克服PN结内电场对多数载流子扩散运动的阻力，故正向电流很小，几乎为零；当正向电压超过一定数值后，内电场被大大削弱，电流增长很快。
3、死区电压也叫开启电压，是应用在不同场合的两个名称。死区电压是指在二极管应用在具体的电路中时，由于本身的压降，也就是供电电压小于一定的范围时不导通，造成输出波形有残缺，从供电电压经过零点直到输出波形残缺消失的时候，这一段电压就是死区电压。死区电压本质上也就是二极管的开启电压。
一般硅、锗二极管的死区电压为多少?导通电压后又是多少
1、一般大略估算是按照锗管0.12~0.2V，硅管0.5~0.7V。但是实际二极管并不理想，不是按照某一个电压分解导通与否，而是一个随着电压增加逐渐导通的指数曲线。
2、锗二极管导通电压为0.1V-0.3V，一般取0.2V，死区电压为0.1V左右；硅二极管导通电压为0.5V-0.8V，一般取0.7V，死区电压为0.5V左右。
3、二极管既然是一个PN结，当然具有单向导电性。Uon称为死区电压，通常硅管的死区电压约为0.5V，锗管约为0.1V。当外加正向电压低于死区电压时，外电场还不足以克服内电场对扩散运动的阻挡，正向电流几乎为零。当外加正向电压超过死区电压后，内电场被大大削弱，正向电流增长很快，二极管处于正向导通状态。
4、硅二极管的死区电压约为0.5V，而锗二极管约为0.1V。一旦导通，二极管两端的电压会维持在一个稳定值，称为正向电压，硅二极管的正向导通压降约为0.6至0.8V，锗二极管则约为0.2至0.3V。另一方面，当施加的是反向电压时，二极管处于截止状态，此时电流很小，称为反向饱和电流或漏电流。
5、硅的死区电压是0.5V，导通电压分别是0.6V，死区电压也叫开启电压，是应用在不同场合的两个名称。在二极管正负极间加电压，当电压大于一定的范围时二极管开始导通，这个电压叫开启电压。锗管0.1左右，硅管0.5左右。
什么是死区电压?
死区电压，指的是即使加正向电压，也必须达到一定大小才开始导通，这个阈值叫死区电压。当外加正向电压Uk很低时，由于外电场还不能克服PN结内电场对多数载流子扩散运动的阻力，故正向电流很小，几乎为零；当正向电压超过一定数值后，内电场被大大削弱，电流增长很快。
死区电压是指在电力系统的开关设备中，由于触点接触不良或机械传动等原因而产生的一种特殊现象。是指在开关操作时，当一个触点处于断开状态，另一个触点刚接触时，两个触点之间会存在一个很短的时间间隔，这个时间间隔被称为死区时间，也伴随着一个死区电压。
死区电压也叫开启电压，是应用在不同场合的两个名称。死区电压是指在二极管应用在具体的电路中时，由于本身的压降，也就是供电电压小于一定的范围时不导通，造成输出波形有残缺，从供电电压经过零点直到输出波形残缺消失的时候，这一段电压就是死区电压。死区电压本质上也就是二极管的开启电压。
从供电电压经过零点直至波形残缺消失的这段电压即为死区电压。本质上，死区电压可以视为二极管的开启电压。当向二极管施加正向电压时，二极管会产生正向电流。但在正向电压较低的情况下，外加电场无法克服PN结内电场对多数载流子扩散运动的阻力，此时正向电流非常微小，二极管呈现高电阻状态。
三极管死区电压是指三极管在有截止状态转向放大状态时的电压Ube，一般硅管为0.5V，锗管是0.1V；而导通电压是指三极管处于放大状态时的电压Ube，一般硅管为0.6~0.7V，锗管是0.2-0.3V。
