场效应管开启电压（场效应管开启电压怎么测量）

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场效应管与三极管有何相同之处?G与B需要提供开启电压吗?

场效应管是电压控制型器件，而晶体三极管是电流控制型器件。硅材料的晶体三极管Ube=0.5~0.6导通并工作于放大状态，小于这个值则处于截止或临界导通状态；大于这个值则工作于饱和导通状态。场效应管的“开启”电压则大多高于1V以上。

场效应管与三极管在参数上存在一些相似之处，例如耐压、功耗和频率范围等。尽管它们都用来表示放大效果，但是定义方式有所不同。场效应管的放大效果通过跨导来衡量，即漏极电流相对于栅极电压的变化。而三极管的放大效果则通过放大倍数来衡量，集电极电流对基极电流的变化比例。

场效应管和三极管一样都能实现信号的控制和放大，但由于他们构造和工作原理截然不同，所以二者的差异很大。在某些特殊应用方面，场效应管优于三极管，是三极管无法替代的，三极管与场效应管区别见下表。场效应管是电压控制元件，而三极管是电流控制元件。

场效应管开启电压不一致

1、不同场效应管的开启电压是不同的，低的3-5V，高的5-10V，具体开启电压需要查询相应型号场效应管手册。场效应晶体管（Field Effect Transistor缩写（FET）简称场效应管。主要有两种类型（junction FET—JFET）和金属 - 氧化物半导体场效应管（metal-oxide semiconductor FET，简称MOS-FET）。

2、场效应管的G极比S极高2V这一特性意味着，当栅源电压增加2V时，G极（栅极）的电流就会增加到S极（源极）电流的两倍。这是因为当栅源电压为正时，栅极会向S极开启一个电流路径，从而增大S极电流。此外，G极的电流和栅极电压之间呈现出一种指数关系，因此其增长速度极快。

3、方案1要用P沟道场管，IRF640N是N沟道的，不能用，还要求PLC的OC端能承受24V电压，这点可能不行。方案2用N沟道场管，IRF640N可行。两个方案都是低电平接通电磁阀，高电平断开。

场效应管一般用于什么场合,起什么作用,它的导通需要什么条件?

一般应用在开关电源中 起快速开关作用，使初级电能量变成磁能量，再由磁能量转变为需要电压大小的电能量。导通条件是：开启电压VT 开启电压：使得源极S和漏极D之间开始形成导电沟道所需的栅极电压 开启电压也可以理解为栅极相对于源极的一个电压。

场效应管可应用于放大。由于场效应管放大器的输入阻抗很高，因此耦合电容可以容量较小，不必使用电解电容器。场效应管很高的输入阻抗非常适合作阻抗变换。常用于多级放大器的输入级作阻抗变换。场效应管可以用作可变电阻。场效应管可以方便地用作恒流源。场效应管可以用作电子开关。

场效应管还可以用作可变电阻，通过改变栅极电压，可以改变其电阻值，这对于需要调节电流或电压的应用非常重要。例如，在电子电路中，场效应管可以用作精密调节器，以保持输出电流的稳定。此外，场效应管可以方便地用作恒流源。

MOS场效应管（MOSFET），即金属氧化物半导体型场效应管，属于场效应晶体管中的绝缘栅型。MOSFET的主要作用在于电压的提供、开关和隔离。在主板或显卡上，MOSFET主要为配件提供稳定的电压，一般位于CPU、AGP插槽和内存插槽附近。

场效应管的作用 场效应管可应用于放大。由于场效应管放大器的输入阻抗很高，因此耦合电容可以容量较小，不必使用电解电容器。场效应管很高的输入阻抗非常适合作阻抗变换。常用于多级放大器的输入级作阻抗变换。场效应管可以用作可变电阻。场效应管可以方便地用作恒流源。

什么是场效应管的夹断电圧和开启电压?

1、夹断电压：指结型或耗尽型场效应管中，当漏源电压VDS一定时，使漏极电流ID减小到一个微小的电流，耗尽层合拢，沟道被夹断时所需的栅源电压VGS。开启电压：增强型绝缘栅场效管中，当漏源电压VDS一定时，使漏极电流ID到达某一个数值，场效应管由截止变为导通时所需的栅源电压VGS。

2、有两种类型的场效应管：增强型和耗尽型。增强型的在栅源电压小于一定值时是没有导电沟道的（宽度为0），大于该值时才导电，这就是开启电压。耗尽型的在栅源电压=0时就已经存在非0宽度的导电沟道，而随着栅源电压的降低，沟道宽度越来越小，当沟道宽度=0时对应的栅源电压就称为夹断电圧。

什么叫场效应管的开启电压和夹断电压?

1、夹断电压：指结型或耗尽型场效应管中，当漏源电压VDS一定时，使漏极电流ID减小到一个微小的电流，耗尽层合拢，沟道被夹断时所需的栅源电压VGS。开启电压：增强型绝缘栅场效管中，当漏源电压VDS一定时，使漏极电流ID到达某一个数值，场效应管由截止变为导通时所需的栅源电压VGS。

2、场效应管的夹断电压，就是栅极与源极的电压，从场效应管导通后，逐渐降低栅极电压，直到场效应管关断为止，此时栅极与源极的电压就是场效应管的夹断电压。

3、夹断电压（VP或UGS（off）：结型或耗尽型场效应管的重要参数，是指当结型场效应管栅—源之间加足够高的负偏压时，导电沟道完全闭合，漏极电流近似为零时的栅源电压（VGS），可用万用表或晶体管图示仪测得。实测时，为便于测量，规定VP对应的最小漏极电流值。