pn结外加反向电压（PN结外加反向电压时）

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在平衡的PN结两端外加反偏电压,结果如何?

如果在PN结两端加上电压，扩散与漂移运动的平衡就会被破坏，PN结将显示出其单向导电的性能。

PN结正偏时导通，呈现很小的电阻，形成较大的正向电流；PN结反偏时截止，呈现很大的电阻，反向电流近似为零。通常的说法是在不加外电压时，这个PN结中P区的多子是空穴，N区的多子是电子（通常只考虑多子），因为浓度差，载流子必然向浓度低的方向扩散。在扩散前，P区与N区的正负电荷是相等的，呈电中性。

如果在PN结两端加上反向偏压，即P加负，N加正，就破坏了动平衡，使漂移起主导作用。在P区使电子向N区运动，在N区使空穴向P区运动，这样就加宽了阻挡层。当漂移与扩散两种作用互相抵消，达到暂时动平衡，又呈现出非导电性，这个加厚了的阻挡层，称为耗尽层，又称作本征区。

当PN结受到反向电压时，外加的电场方向与界面附近的电场方向一致。在外电场的作用下，载流子会朝远离PN结的方向运动，这使得空间电荷区变宽，耗尽层也会相应变大。而当PN结受到正向电压时，扩散电流会大于漂移电流，耗尽层将变窄。

为什么二极管PN结当外加反向电压时,因空间电荷区加宽?

如果电源的正极接N区，负极接P区，外加的电压反向与内电场的电压方向一致，则空穴和电子都向远离界面的方向运动，使空间电荷区变宽。

PN结外电场和内电场方向相同时，内电场变强，使空间电荷区加宽，同时空间电荷区中载流子的浓度减小，扩散运动减弱，漂移运动增强，平衡被打破，漂移运动大于扩散运动；又因为漂移运动时少子的运动，少子浓度小，形成反向电流很小，pn结处于截止状态。

PN结外加反向电压后，空间电荷区中的电场增强，则相应的空间电荷增多，因而空间电荷区展宽。外加正向电压时，电场减弱，则相应的空间电荷减少，因而空间电荷区变窄。如果将PN结加正向电压，即P区接正极，N区接负极，如右图所示。由于外加电压的电场方向和PN结内电场方向相反。

当温度不变，PN结的特性保持不变时，增大反压会使空间电荷区增宽。这是因为反向电压增大会抑制载流子的扩散，使得空间电荷区的宽度增加。而反向电流的变化则取决于材料的温度系数。对于常见的硅和锗材料，它们的温度系数为负值，即随着温度的升高，它们的电阻减小，反向电流也会增加。

当PN结外加反向电压时，内外电场的方向相同，在外电场的作用下，载流子背离PN结运动，结果使空间电荷区变宽，耗尽层会（变宽）变大。PN结外加正向电压时，扩散电流大于漂移电流，耗尽层将变窄。

PN结加上反向电压,空间电荷区变窄是为什么?

PN结在加上正向电压时，空间电荷区变窄的原因是： 外加正向电压与PN结内电场方向相反，削弱了内电场。 内电场的削弱导致原有的载流子扩散和漂移运动平衡被打破。 由于电源的作用，多数载流子（自由电子和空穴）被推向空间电荷区，使其变窄。

PN结加正向电压时，空间电荷区将变窄是因为：PN结外加正向电压，此时外电场将多数载流子推向空间电荷区，使其变窄，削弱了内电场，破坏了原来的平衡，使扩散运动加剧，漂移运动减弱，由于电源的作用。扩散运动将源源不断地进行，从而形成正向电流，PN结导通。

PN结外加反向电压后，空间电荷区中的电场增强，则相应的空间电荷增多，因而空间电荷区展宽。外加正向电压时，电场减弱，则相应的空间电荷减少，因而空间电荷区变窄。如果将PN结加正向电压，即P区接正极，N区接负极，如右图所示。由于外加电压的电场方向和PN结内电场方向相反。

使得多数载流子的扩散更容易进行，就称为阻挡层变窄。对于二极管来说，就是“正向导通”。反之，当P型半导体加上负电压、N型半导体加上正电压时，外电场的方向与内电场相同，使得阻挡层的作用更加强，就是阻挡层变厚，多数载流子的扩散运动更难进行。对于二极管来说，就是“反向截止”。

这个涉及到电子运动与空穴运动的问题，半导体的PN节带有了电压，你加正反电压就是和他自身的电压进行中和。

PN结为什么在加反向电压时,耗尽层会变大

1、总结来说，PN结在反向电压的作用下，耗尽层变大是因为外加电场加强了原有的空间电荷电场，使得载流子难以重新进入PN结，而在正向电压的作用下，扩散电流的增加抵消了空间电荷电场的作用，使得耗尽层变窄。

2、当PN节接方向电压时，相当于P节接负电，N节节正电。则P节中的带正电空穴向负极移动，N节中点负电的电子向正极移动，两种离子向相反方向移动，则中间无带点离子的空间肯定越宽了，所以说耗尽层变大了。

3、当PN结外加反向电压时，内外电场的方向相同，在外电场的作用下，载流子背离PN结运动，结果使空间电荷区变宽，耗尽层会（变宽）变大。PN结外加正向电压时，扩散电流大于漂移电流，耗尽层将变窄。

当PN结外加反向电压时,扩散电流大于漂移电流。()

1、【答案】：答案：错 解析：当PN结外加正向电压时，扩散电流大于漂移电流，耗尽层变窄。当外加反向电压时，扩散电流小于漂移电流，耗尽层变宽。

2、PN结外加正向电压时，扩散电流大于漂移电流，耗尽层将变窄。

3、这时，扩散电流大于漂移电流，形成“正向电流”。外电场增强时，内电场减弱，正向电流随之增大。在正常导通情况下，从P端至N端存在压降，即为内电场电压。微小的外电场电压变化，会导致正向电流显著变化，此时PN结可视为小电阻，加上恒定的电压压降。

4、由于自由电子和空穴浓度差的原因，有一些电子从N型区向P型区扩散，也有一些空穴要从P型区向N型区扩散。它们扩散的结果就使P区一边失去空穴，留下了带负电的杂质离子，N区一边失去电子，留下了带正电的杂质离子。开路中半导体中的离子不能任意移动，因此不参与导电。

5、当pn结加正向电压时，扩散电流大于漂移电流，耗尽层变窄。采用不同的掺杂工艺，通过扩散作用，将P型半导体与N型半导体制作在同一块半导体（通常是硅或锗）基片上，在它们的交界面就形成空间电荷区称为PN结（英语：PN junction）。

pn结外加反向电压时,耗尽区的宽度是增加还是减少

1、变宽，电场增强。空穴和电子都向远离耗尽层的方向运动，形成电容器件了。

2、相反，当PN结加上反向偏压时，势垒会增大，耗尽层的宽度也会相应的增加。这是因为在反向偏压作用下，空间电荷区会进一步扩展，从而耗尽层的宽度增加。

3、解析：当PN结外加正向电压时，扩散电流大于漂移电流，耗尽层变窄。当外加反向电压时，扩散电流小于漂移电流，耗尽层变宽。

4、正向电压导致耗尽层变窄的原因在于，扩散电流的增加使得更多的载流子能够穿过耗尽层，从而抵消了空间电荷电场的作用，使得耗尽层的宽度减小。

5、带负电，PN节接触时，接触区附近电子和空穴复合，形成了一定宽度的耗尽尽层。当PN节接方向电压时，相当于P节接负电，N节节正电。则P节中的带正电空穴向负极移动，N节中点负电的电子向正极移动，两种离子向相反方向移动，则中间无带点离子的空间肯定越宽了，所以说耗尽层变大了。

6、在PN结加上反向偏置电压以后，其耗尽层中的电场更加增强（因为外加电压产生搜电场的方向与原来的内建电场的方向相同），则使得耗尽层厚度（即势垒厚度）增大，相应的势垒高度也增高。正向电压的作用恰恰相反。