gs电压大于ds电压（vgs电压范围 20v）
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MOS管打开时,是否正向和反向都能导通?
是的。一般NMOS管只要保证GS端的电压大于开启电压，那么在DS间的电流不管正向、反向都能导通，当然，对于PMOS也一样。因为对于MOS管来说，管内的衬底在制造时被连接到了S端，S端已经被确定了，而DS端无法互换，但是DS间的电流方向却可以是双向的。
mos管以常见的n管为例，只要没有打开，在mos管DS之间加正向电压是不通的，加反向电压由于体二极管的存在，反向电压只要大于这个体二极管的死区电压是可以导通的，不管mos管有没有去打开它，导通压降大体都在零点几伏，不同应用条件，这个数值有点来去。
在图二，是个Pmos，Vgs是个负值才能打开mos。现在s极接的是电源，也就是s极的电平是高电平。那么只需G极是0V ，mos 就会导通。G极是高电平时，mos关断。综上所述，是Nmos的话，就S极接地。Pmos就S极接电源。都是给S极一个固定的电位。上图都是很常见的 用法。
如果S为8V，G为8V，VGSw，那么mos管不导通，D为0V，所以，如果8V连接到S，要mos管导通为系统供电，系统连接到D，利用G控制。和G相连的GPIO高电平要8-0.4=4V以上，才能使mos管关断，低电平使mos管导通。
mos管是电压控制元件，在某些方面使用起来很方便，当然，在开关电路中，由于mos管的导通电阻很小，所以使用也非常好，在开关电路中应用，就是一个能够受控制的开关，一般是受电压信号的控制。
MOS管的开关特性取决于其栅极和源极之间的电压差。NMOS的开关方向是从源极（S）到漏极（D），导通时需要VGS（栅源电压）为正值，比如5到10V，当G（栅极）电位高于S（源极）时。相反，PMOS的导通方向是从漏极到源极，要求VGS为负值，如-5到-10V，此时S电位高于G。
GS电压大于1000v的MOS管及IGBT有哪些
1、从原理上说IGBT相当与一个mosfet和一个BIpolar的组合，通过背面P型层的空穴注入降低器件的导通电阻，但同时也会引入一些拖尾电流等问题。从产品来说，IGBT一般用在高压功率产品上，从600V到几千伏都有；MOSFET应用电压相对较低从十几伏到1000左右。
2、N-MOSFET等效为电压控制的电阻，其导通条件是栅极（G）和源极（S）之间的电压（Vgs）需要大于某一阈值电压（Vgsth）。这个阈值电压决定了N-MOSFET打开所需要的GS电压，通常在数据手册中可以找到Vgs的值。选择5V的高电平时，可以选择约3V左右的Vgs，以避免受到干扰误触发，同时确保MOSFET能够正常打开。
3、IGBT的主要材料包括用于外部封装的陶瓷，以及用于内部连接的银丝、黄金镀膜和透明硅胶等。IGBT，全称为绝缘栅双极型晶体管，是一种复合全控型电压驱动式功率半导体器件，它由BJT（双极型三极管）和MOS（绝缘栅型场效应管）组成。这种器件兼具MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降的优点。
4、大功率的达林顿管虽然可以在高电压和大电流状态下长时间工作，但需要较大的驱动电流。将场效应管做为推动管，大功率达林顿管作为输出管。这样两者优点有机的结合成现在的IGBT管，功率达1000W以上。IGBT管有：P型、N型，有带阻尼的和无阻尼的。
5、IGBT的主要材料有外部为封装用的陶瓷；内部件是银丝、黄金镀膜和透明硅胶等。IGBT是绝缘栅双极型晶体管，是由BJT（双极型三极管）和MOS（绝缘栅型场效应管）组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件。兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。
mos管怎么工作在恒流区?
mos管V（gs）大于夹断电压Vt时V（ds）之间的电压很小，也就是俗称的导通状态。当不断增加漏极电压是，源极电压不是也在增加吗？怎么样才会让V（ds）之间电压增大使mos工作在恒流状态呢... mos管V（gs）大于夹断电压Vt时V（ds）之间的电压很小，也就是俗称的导通状态。
漏极电源大于预夹断电压：n沟道耗尽型mos管恒流区需要漏极电源大于预夹断电压，沟道才能够完全导通，从而保证恒流区的工作条件。
满足Ucs》Ucs（th）（开启电压），uDs《UGs-Ucs（th），为图中预夹断轨迹左边的区域其沟道开启。在该区域UDs值较小，沟道电阻基本上仅受UGs控制。当uGs一定时，ip与uDs成线性关系，该区域近似为一组直线。这时场效管D、S间相当于一个受电压UGS控制的可变电阻。
a是N沟道场效应管，由Id电流在Re上可能产生自给反向偏压，可能工作在恒流状态。2：b，c是N沟道增强型MOS管，GS要加上正向偏压才能工作，图中所示不可能工作在恒流状态。3：d是P沟道场效应管，由VOO提供正向偏压，电路所示可能工作在恒流状态。
了解米勒平台的电压估算方法，有助于深入分析导通过程中的电压电流变化。MOS管开关电路中，t0~t1时间段内，Vgs小于阈值电压时，MOS管处于截止区，漏极电流Id=0，漏源极电压差Vds等于输入电压Vin。在t1~t2时间段内，随着Vgs增加至米勒平台电压Vp，电流Id逐渐增大，MOS管进入恒流区。
