导通电压mos（导通电压和导通压降）

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mos管的栅极电压大于0v时就可以导通

1、MOS管的导通状态主要取决于栅极电压的大小。当栅极电压大于0V时，即栅极相对于源极的电压为正时，会在半导体基底中形成一个导电沟道，使得漏极和源极之间的电流可以流通，此时MOS管处于导通状态。栅极电压越高，导电沟道的宽度越大，通过的电流也就越大。

2、MOS管的导通条件取决于栅极和源极之间的电压。当栅极和源极之间的电压大于阈值电压时，MOS管会导通。在N沟道MOS中，当栅极电压高于源极电压加上阈值电压时，NMOS管导通；而在P沟道MOS中，当栅极电压低于源极电压减去阈值电压时，PMOS管导通。

3、电压：MOSFET的导通电压为VGS，即栅极加正电压（VD），由于MOS管是场效应晶体管，其输入电阻很小，只要VGS大于VD就可以使MOSFET导通。

mos管导通原理是什么

mos管导通原理MOS管导通原理是指在MOS管中，当控制电压Vgs达到一定的阈值时，MOS管就会导通，从而使输出电压Vds达到一定的值。MOS管导通原理的基本原理是，当控制电压Vgs达到一定的阈值时，MOS管中的控制电子就会被激活，从而使MOS管导通，从而使输出电压Vds达到一定的值。

MOS管的基本工作原理 MOS管，即金属-氧化物-半导体场效应晶体管，是一种利用电场效应来控制电流的器件。它的核心结构是由金属栅极、氧化物绝缘层和半导体基底组成的。当在栅极施加电压时，会在氧化物绝缘层下方形成一个电场，从而改变半导体基底的导电性。

靠在G极上加一个触发电压，使N极与D极导通。对N沟道G极电压为+极性。对P沟道的G极电压为-极性。 场效应管的导通与截止由栅源电压来控制，对于增强型场效应管来说，N沟道的管子加正向电压即导通，P沟道的管子则加反向电压。一般2V～4V就可以了。

它的工作原理与一般的MOSFET（金属氧化物半导体场效应管）类似，都是通过控制门电压来控制导通的流动。不同的是，功率MOS管能够承受更大的电流和功率，并具有更高的额定电压。功率MOS管由三层构成：门（gate）：控制导通的电压。源（source）：向负载（load）输出电流。

nmos管工作原理是电场效应。NMOS管由一个源极（S）、一个漏极（D）和一个控制极（G）组成。当控制极（G）上的电压高于源极（S）时，晶体管就会导通，从而允许电流从源极流向漏极。当控制极（G）上的电压低于源极（S）时，晶体管就会断开，阻止电流从源极流向漏极。

大功率MOS管的基本结构和工作原理 大功率MOS管是一种用于控制高功率电流的半导体器件。它主要由逆型金属氧化物半导体（MOS）结构组成，其中有一个金属阳极和一个衬底。在平衡状态下，由于衬底与金属阳极之间存在反向偏置，导致衬底区域呈现高浓度的空穴，同时金属阳极区域则充满自由电子。

MOS导通电压

电压：MOSFET的导通电压为VGS，即栅极加正电压（VD），由于MOS管是场效应晶体管，其输入电阻很小，只要VGS大于VD就可以使MOSFET导通。

P型MOS管的导通条件：靠在G极上加一个触发电压，使N极与D极导通。对N沟道G极电压为+极性。对P沟道的G极电压为-极性。 场效应管的导通与截止由栅源电压来控制，对于增强型场效应管来说，N沟道的管子加正向电压即导通，P沟道的管子则加反向电压。一般2V～4V就可以了。

MOS管导通时的电压降与导通电阻Rds（on）的大小有关，设计电路时需考虑此因素以确保性能稳定。导通电阻是MOS管在导通状态下的电阻值，导通电流通过时会形成电压降，造成源极与漏极电压差异。影响导通电压降的因素有三个：导通电阻、导通电流大小和温度变化。

以IRF540NPbF功率管为例，其最大漏极源极导通电阻为44毫欧姆（44mΩ），当栅极电压（VGS）为10伏特，且通过的电流为20安培时，导通压降可以通过简单的计算得出：20A * 0.044Ω = 0.88V。这意味着，当漏极电压为20伏特时，源极对地电压为：20V - 0.88V = 112V。

mOS管导通后的Vgs是多少?和刚满足导通条件时的电压有什么关系

MOS管导通后的Vgs电压始终为该管的开启电压，和刚满足导通条件时比较，导通后随着源极S电位的升高，Vg电压也要升高，在漏极电流不变的的情况下Vgs是个常数。N沟道与P沟道是不一样的。如N沟道管，导通后Vgs与“偏置”电路有关，与其他无关。Vgs越大则导通电阻越小。

Vgs是栅极相对于源极的电压。当MOS管开始导通时，这个电压值较小，当栅极和源极间的电压值达到一个值时，MOS管才能完全导通。加载这两端的电压值也有个极限，不能超过给出的最大值，这个最大值指的就是Vgs。

与NMOS一样，导通的PMOS的工作区域也分为非饱和区，临界饱和点和饱和区。当未形成反型沟道时，MOS管处于截止区，其电压条件是：|VGS||VTP（PMOS）|，PMOS的VGS和VTP都是负值。PMOS集成电路适合在低速、低频领域内应用，采用-24V电压供电。

从电路上分析，理论上Vgs=R2两端电压降Ur2=2*24/12=18V 这个电压与MOS管导通与否没有关系。

mos管导通条件

1、MOS管的导通条件取决于栅极和源极之间的电压。当栅极和源极之间的电压大于阈值电压时，MOS管会导通。在N沟道MOS中，当栅极电压高于源极电压加上阈值电压时，NMOS管导通；而在P沟道MOS中，当栅极电压低于源极电压减去阈值电压时，PMOS管导通。

2、电压：MOSFET的导通电压为VGS，即栅极加正电压（VD），由于MOS管是场效应晶体管，其输入电阻很小，只要VGS大于VD就可以使MOSFET导通。

3、对于NMOS，当Vg减Vs大于Vgs（th）时，MOS管导通G极和S极的差大于一定值，MOS管会导通，不能大太多，Vgs（th）和别的参数需要看MOS管的SPEC。

4、n沟道mos管导通条件 导通时序可分为to~tt1~tt2~tt3~t4四个时间段，这四个时间段有不同的等效电路。1）t0-t1：CGS1开始充电，栅极电压还没有到达VGS（th），导电沟道没有形成，MOSFET仍处于关闭状态。

MOS管道通电压

电压：MOSFET的导通电压为VGS，即栅极加正电压（VD），由于MOS管是场效应晶体管，其输入电阻很小，只要VGS大于VD就可以使MOSFET导通。

P型MOS管的导通条件：靠在G极上加一个触发电压，使N极与D极导通。对N沟道G极电压为+极性。对P沟道的G极电压为-极性。 场效应管的导通与截止由栅源电压来控制，对于增强型场效应管来说，N沟道的管子加正向电压即导通，P沟道的管子则加反向电压。一般2V～4V就可以了。

以功率管IRF540NPbF为例，其最大漏极源极导通电阻为44mΩ。当VGS为10V时，若导通电流为20A，MOS管导通压降为0.88V。此时，若漏极电压为20V，则源极对地电压为112V。设计MOS管电路时，应关注导通电阻的选择、温度控制和电流控制，以有效降低导通状态下的电压降，确保MOS管正常工作和性能稳定。

MOS管的导通状态主要取决于栅极电压的大小。当栅极电压大于0V时，即栅极相对于源极的电压为正时，会在半导体基底中形成一个导电沟道，使得漏极和源极之间的电流可以流通，此时MOS管处于导通状态。栅极电压越高，导电沟道的宽度越大，通过的电流也就越大。

源极对地电压为：20V - 0.88V = 112V。在设计过程中，工程师们需要精细地权衡这些因素，包括选择合适的导通电阻、确保有效的温度控制以及电流管理，以最大程度地降低压降，确保MOS管在工作中的高效性和稳定性。通过深入理解这些原理并采取适当的策略，电路设计者可以打造出性能卓越的MOS管应用。

关键词：导通电压mos