stm32内部电压(stm32内部电压基准)
本文目录一览:
- 1、stm32芯片读取3.3V电压,定义这个电压是高电平,是通过什么语句定义的呢...
- 2、stm32自带的adc能不能采集正负5伏
- 3、STM32电源框图解析(VDD、VSS、VDDA、VSSA、VREF+、VREF-、VBAT等的区...
stm32芯片读取3.3V电压,定义这个电压是高电平,是通过什么语句定义的呢...
在芯片中读取电压通常采用ADC(模数转换器)来实现。STM32微控制器内置有ADC器件,可以使用模拟输入引脚读取外部信号的电压,并将模拟信号转换为数字信号,最终由固件代码处理。在CMOS器件中,3V被定义为高电平。这是因为CMOS技术中,信号的高低电平是相对于电源电压的。
STM32微控制器的引脚输入电平取决于其供电电压和逻辑电平标准。大多数STM32系列微控制器使用的是TTL逻辑电平标准,其中:- 对于3V供电的器件,通常将0V至0.8V之间的电压定义为低电平,2V至3V之间的电压定义为高电平。
开漏输出就是不输出电压,低电平时接地,高电平时不接地。如果外接上拉电阻,则在输出高电平时电压会拉到上拉电阻的电源电压。这种方式适合在连接的外设电压比单片机电压低的时候。 推挽输出就是单片机引脚可以直接输出高电平电压。
V LVTTL 、LVT、 LVC 、ALVC、LV 、ALVT中 ,输入大于2V算高电平, 输入小于0.8V算低电平。
STM32引脚输入电平的范围是ALVC, 输入小于0,输入大于2V算高电平,LV 、ALVT中 8V算低电平。电平,指电路中两点或几点在相同阻抗下电量的相对比值。逻辑电平:有TTL、CMOS、LVTTL、ECL、PECL、GTL;RS23RS42LVDS等。
比如,IO_IN端口输出高电平,左侧的三极管导通,Q1的 C 极为低电压(Q1导通了),Q2的 了 极就是低电压,Q2截止,输出端就是高电位。 输入与输出一样 反之,输入低电压,Q1截止, Q1的 C 端就是高电位, 相当于Q2的端就是高电位,Q2导通,Q2的C就是低电位了。 输入与输出一样。
stm32自带的adc能不能采集正负5伏
STM32自带的ADC默认的工作范围是0到3V,因此无法直接采集正负5V的电压。为了能够采集到这样的电压范围,需要设计一个前段电路,如电压变换电路或分压电路等,将采集的电压范围调整到0到3V以内。设计前段电路时,可以考虑使用差分放大器来扩大电压采集范围。
直接测量对于STM32来说是不可行的,因为其内部ADC的最大测量范围仅限于0到3V。因此,必须采用间接测量的方法来扩展测量范围。最简单的间接测量方法是通过电阻分压来实现。具体来说,可以采用串联两个电阻的方式,将20KΩ和1KΩ的电阻串联起来。其中,20KΩ的一端连接到被测电压,1KΩ的一端接地。
设计一个模拟信号采集电路,选用STM32芯片内部集成的ADC是一个不错的选择。首先,我需要查阅STM32的数据手册,以了解其内部ADC的具体规格和使用方法。按照数据手册中的典型接法,我将电路连接起来。对于电压的采集,可以直接将待测电压接入ADC的输入端。然而,电流的采集则需要采用不同的策略。
直接测量是不行了,stm32最多只能测量0~3V,得间接测量。直接电阻分压就行了,串联两个电阻,20K+1K,20K接被测电压,1k接地,ADC引脚接1k和20k中间就行了,这是最简单的方法。
共地问题是指如果STM32需要采集某个信号,必须使这个信号的地与STM32的地等电位或直接短接,才能在共同的地线上正确采集信号,且不会损坏ADC。例如,若要采集交流电,首先需要将交流电信号转换为直流信号。
STM32电源框图解析(VDD、VSS、VDDA、VSSA、VREF+、VREF-、VBAT等的区...
STM32的工作电压(VDD )为0~6V,通过内置的电压调节器提供所需的8V电源,当主电源VDD 掉电后,通过VBAT 脚为实时时钟(RTC)和备份寄存器提供电源(下图为STM32F1**系列电源框架图,STM32基本大同小异)。
有时,模拟电路工作电源也叫vcc。数字电路工作电压vdd,一般为5v,3v;模拟电路工作电压vcc,多为12v;模拟电路工作电压avdd,一般为5v。为了避免相互干扰,模拟电路,和数字电路“地”也是分开的,于是有vss,avss,之分。大致情况这样,并非绝对。
VDD是单片机的数字电源正极,VSS是数字电源负极,共有5个VDD引脚,5个VSS引脚。VDDA是单片机的模拟电源正极,负责给内部的ADC、DAC模块供电,VSSA是模拟电源负极。VREF+是参考电压输入引脚正极,VREF-是参考电压输入引脚负极。