mos击穿电压计算（mos管上电击穿）

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M0S管怎样测量

检测MOS管的好坏时，可以采用数字万用表进行测量。具体步骤如下：红左、黑中、右显示无穷大，黑左、红中、右显示无穷大，红中、黑右显示无穷大；黑中红右显示530（左右）。这表明场效应管三极管的判断方法较为直观。利用万用表R×100档测量场效应晶体管任意两引脚之间的正、反向电阻值。

MOS管因其低开启电压，通常只有零点几伏，因此在检测其是否导通时，我们可以直接测量D-S间的导通状态。具体操作为：首先将红表笔连接到D极，黑表笔连接到G极，这一步骤会施加一个反向电压在G极上，导致D-S间截止。此时，如果表头显示导通，则说明测试条件可能存在问题。

准备工具与MOS管：确保拥有一个数字万用表，并准备待测的MOS管。 检查外观：首先观察MOS管的外观，确保没有物理损坏，如破裂、引脚断裂等。 设置万用表：将万用表调到二极管或蜂鸣器档。对于某些MOS管类型，可能需要特定的测试模式。

4个mos管选型电路案例讲解,参数计算+选型步骤,手把手教你选型

1、选择功率MOS管的步骤涉及计算峰值负载、总负载、峰值电流、电压，以及电流的安全系数，以确保器件在实际应用中的稳定运行。为家用12V逆变器选择MOS管时，首先需考虑峰值负载，计算总负载以包含损耗，确定峰值电流。选择适当电压（通常为2倍最大电池电压）以确保系统稳定。

2、在进行电路设计时，首先需要决定选择N沟道还是P沟道MOS管。在典型的功率应用中，当MOS管接地，负载连接到干线电压时，它构成了低压侧开关。在这种情况下，应选择N沟道MOS管，因为这有利于关闭或导通需要的电压。如果MOS管连接到总线且负载接地，则使用高压侧开关，通常选择P沟道MOS管，这也有利于电压驱动。

3、选择MOS管时需考虑以下关键参数：栅极阈值电压（VGSth）、漏源导通电阻（RDS（on）、连续漏极电流（ID）、脉冲漏极电流（ID脉冲）、栅源电压（VGS）、漏源电压（VDS）、功耗、工作和储存温度、热特性、动态特性、栅极平台电压（Vplateau）、雪崩能量、安全工作区、电流应力、电压应力。

MOSFET主要参数什么意思?

1、Idm：最大脉冲DS电流，会随温度的升高而降低，体现一个抗冲击能力，跟脉冲时间也有关系。Pd：最大耗散功率。Tj：最大工作结温，通常为150度和175度。Tstg：最大存储温度。Iar：雪崩电流。Ear：重复雪崩击穿能量。Eas：单次脉冲雪崩击穿能量。BVdss：DS击穿电压。Idss：饱和DS电流，uA级的电流。

2、MOSFET的主要参数包括直流参数、交流参数和极限参数。在实际应用中，通常关注以下几个主要参数： IDSS—饱和漏源电流：指在栅极电压UGS=0时，结型或耗尽型绝缘栅场效应管中的漏源电流。 UP—夹断电压：指使结型或耗尽型绝缘栅场效应管中的漏源刚截止的栅极电压。

3、ID（DC）表示最大直流电流值。ID（Pulse）表示最大脉冲电流值。热阻 热阻表示热传导的难易程度，热阻越小，表示散热性能越好。热阻是材料抵抗热能流动的能力，其影响MOSFET的温度升高。静态参数 VGS（th）表示MOS的开启电压。IGSS表示栅极驱动漏电流。IDSS表示漏源漏电流。RDS（ON）表示MOS的导通电阻。

4、功率MOSFET的主要参数包括阈值电压（Vth）、比较大漏极电流（Idmax）、比较大漏极-源极电压（Vdss）和开启电阻（Rds（on）。阈值电压是指MOSFET导通时需要施加到栅极上的电压。较高的阈值电压意味着需要更高的电压才能使MOSFET导通。

5、电力场效应管，即电力MOSFET，拥有多种关键参数，它们在决定器件性能和应用范围上起着至关重要的作用。除跨导Gfs、开启电压UT、td（on）、tr、td（off）和tf之外，还有几个核心参数需重点关注。首先，漏极电压UDS（漏极电压定额）是电力MOSFET电压能力的指标。

6、选择MOSFET时，应考虑的主要参数包括：电压等级、导通电阻、栅极电荷、优值系数、额定电流和功率耗散。 电压等级：电压等级是MOSFET的一个关键特性，指的是漏源击穿电压（VDS）。VDS是在栅极短路到源极、漏极电流为250μA时，MOSFET能够承受的最高电压，以确保不损坏。

MOS管开关电路?

MOS管开关电路是利用一种电路，是利用MOS管栅极（g）控制MOS管源极（s）和漏极（d）通断的原理构造的电路。MOS管分为N沟道与P沟道，所以开关电路也主要分为两种。PWM MOS管驱动实际是将PWM信号经过MOS进行功率放大，将PWM信号变成具备一定功率输出或有一定电流灌入能力的PWM波形。

由于MOS管的工作特性，它在开关电路中的应用非常广泛，特别是在高频开关电源、微处理器等电子设备中，能够实现快速的开关操作。此外，MOS管在低功耗应用中也表现出色，因为其静态电流非常小。为了保证MOS管开关电路的稳定性和可靠性，电路设计时需要考虑栅源电压的选择，以确保MOS管在合适的电压下工作。

MOS开关电路图电路图如下：AOD448是30V 75A的管子，是用5V驱动的，偏高了点。可以用AOD442，AO3416等管子，电压用5V就能驱动。当电压为5V时，只有26豪欧。电流2到3安没问题。也可以用IRF540N，1A条件下一点问题都没有，当时做精密恒流源，可以控制到精度1mA。

mos管的开关电路原理MOSFET（Metal-Oxide-SemiconductorField-EffectTransistor）管的开关电路原理是通过控制门电压来控制通过MOSFET管的电流。当门电压高于源电压时，MOSFET管导通，当门电压低于源电压时，MOSFET管不导通。在开关电路中，MOSFET管可用来替代传统的电源开关，实现较高的效率和更小的损耗。

MOS管在开关电路的作用是信号的转换、控制电路的通断。

对MOS管分类不了解的可以自己上网查一下。场效应管的作用主要有信号的转换、控制电路的通断，这里我们讲解的是MOS管作为开关管的使用。

MOS管20N60的参数有谁知道

1、N60是一种高压N沟道MOS管。20N60 MOS管具备以下特点和参数：最大漏源电流：20A，这意味着该管子能够处理的最大电流为20安培。漏源击穿电压：600V，表明该管子能够承受的最大电压差为600伏特。

2、Sd20n60的参数为20 A600V，可代换SPP20N60c3的管子均为特性相同m0S管。

3、FMC20N50ES：ID20A（持续）、80A（峰值）、耐压500V，耗散功率270W，Rd（on）0.27欧。N沟道MOSFET 20N60：ID20A（持续）、80A（峰值）、耐压600V，耗散功率300W，Rd（on）0.38欧，N沟道MOSFET。从参数上可以替代，稍微调试一下看看。

MOS管的安全工作区(SOA),学好了不烧管

1、SOA图以电压为横坐标，电流为纵坐标，直观显示MOSFET或IGBT的功率处理能力。安全工作区为绿色阴影区域，确保MOS管安全运行。SOA包含五个界限，分别对应导通电阻限制、封装限制、最大功率限制、热稳定性限制和击穿电压限制。其中，RDS（on）-limit-line（蓝色线）表示由导通电阻限制的区域。

2、MOS管的失效主要集中在雪崩电压失效和安全工作区（SOA）失效两个方面，预防措施涉及降额使用、变压器优化、电路设计和散热管理。下面是对这两个重点的详细分析和建议。雪崩电压失效：MOSFET由于寄生NPN结构，当电压过高、电流大时，可能导致雪崩击穿。

3、mos。soa曲线在测试开关电源装置时使用。mos管作为新型半导体器件的代表，作为重要的开关元件广泛应用于服务器的电源系统中。为了保证mos管能够安全工作，对mos管进行soa测试尤为重要。soa测试，是为了验证mos管是否在安全工作区（safeoperatingarea，soa）内而进行的功能性测试。

4、SOA失效（电流失效）：既超出MOS管安全工作区引起失效，分为Id超出器件规格失效以及Id过大，损耗过高器件长时间热积累而导致的失效。

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