齐纳管击穿电压（齐纳击穿电压具有 温度系数）

本文目录一览：

• 1、二极管的击穿电压和工作电压相同吗?
• 2、稳压二极管反向击穿电压是多少
• 3、问:齐纳击穿和雪崩击穿的区别?
• 4、齐纳二极管中为什么雪崩击穿的反向击穿电压值具有正温度系数
• 5、稳压管齐纳击穿的原理是什么?

二极管的击穿电压和工作电压相同吗?

二极管反向击穿电压一般是工作电压2-3倍。二极管反向击穿时的电压值。击穿时反向电流剧增，二极管的单向导电性被破坏，甚至过热而烧坏。手册上给出的最高反向工作电压VBWM一般是VBR的一半。反向击穿的现象发生在很多情况下面，比如二极管，三极管等等。

不对；二极管最高反向工作电压是一个极限工作参数，工作在这个电压下，二极管不一定击穿，但厂家手册理会警告，不要长时间工作在此电压下，否则不保证产品性能。二极管击穿电压是一个离散参数，工作电压大于最高反向工作电压，二极管随时可能击穿，但具体击穿电压不是确定值。

二极管最高反向工作电压是一个极限工作参数，工作在这个电压下，二极管不一定击穿，但厂家手册理会警告，不要长时间工作在此电压下，否则不保证产品性能。二极管击穿电压是一个离散参数，工作电压大于最高反向工作电压，二极管随时可能击穿，但具体击穿电压不是确定值。

一般二极管的反向击穿电压是其允许承受的反向工作电压峰值的2至3倍。注意：你说的额定电压若是直流电，那击穿电压约是它的2至3倍；若你说的额定电压若是交流电，那该交流的的峰值已是额定值的√2倍了。

稳压二极管反向击穿电压是多少

伏稳压二极管，加上2伏的反向电压就会击穿，但不会损坏。稳压管正是工作在击穿区。当加在稳压二极管的反向电压由0伏逐渐升高，到达稳压值后，如2伏，二极管击穿，外加的电压继续升高，二极管上的电压基本不变。

V到8Ⅴ。型号为2CW56的稳压二极管的反向击穿电压是Ⅴ到28Ⅴ，电流27mA，功率0.25W。稳压二极管，英文名称Zenerdiode，又叫齐纳二极管。利用PN结反向击穿状态，其电流可在很大范围内变化而电压基本不变的现象，制成的起稳压作用的二极管。

普通二极管的反向击穿电压较高，通常在40V以上，甚至可达几百伏至上千伏。而稳压管的反向击穿电压则较低，当反向电压超过其工作电压Vz（齐纳电压或稳定电压）时，稳压管的反向电流会迅速增大，而其两端的电压则会保持相对稳定。这种特性使得稳压管在电路中可以稳定电压。

工作状态不同：普通二极管一般在正向电压下工作，稳压管则在反向击穿状态下工作。反向击穿电压不同：普通二极管的反向击穿电压一般在40V以上，高的可达几百伏至上千伏，而且在伏安特性曲线反向击穿的一段不陡，即反向击穿电压的范围较大，动态电阻也比较大。

稳压二极管稳压值就是其反向击穿电压，12V稳压二极管的反向击穿电压就是12V。稳压二极管就是利用二极管的反向击穿电压为一定值的原理工作的。

问:齐纳击穿和雪崩击穿的区别?

1、PN结反向击穿现象包括齐纳击穿和雪崩击穿，通常这两种击穿会同时发生。 在电压低于5至6伏特时，齐纳击穿占主导地位，而电压超过这个范围时，雪崩击穿成为主要因素。

2、发生的位置不同：雪崩击穿主要发生在高电场强度下，而齐纳击穿则发生在低电场强度下。产生的机理不同：雪崩击穿是电子与原子碰撞导致空穴和自由电子同时增加而产生设防的，而齐纳击穿则是由于电子被电场加速达到碰撞离子的离子化能力而发生。

3、性质不同 雪崩击穿：新产生的载流子在电场作用下撞出其他价电子，产生新的自由电子和空穴对。由于这种连锁反应，势垒层中载流子的数量急剧增加，流过PN结的电流急剧增加。这种碰撞电离导致的击穿称为雪崩击穿。齐纳击穿：由场致激发而产生大量的载流子，使PN结的反向电流剧增，呈现反向击穿现象。

4、齐纳击穿和雪崩击穿的主要区别在于它们发生的位置、机理以及特点。首先，从发生位置上看，齐纳击穿主要发生在低电场强度下，特别是在掺杂浓度较高的PN结中，由于阻挡层较薄，只需较小的反向电压就能引发强电场，进而发生击穿。

5、答案概述：齐纳击穿和雪崩击穿是电子器件中的两种击穿模式，它们的主要区别在于触发机制和表现特征。齐纳击穿通常发生在反向电压下的二极管中，是热击穿的一种形式。而雪崩击穿则出现在高电场强度下的半导体器件中，涉及到载流子的倍增效应。 齐纳击穿：齐纳击穿是发生在PN结的一种热击穿现象。

6、了解雪崩击穿与齐纳击穿的区别，我们首先需要定义两个术语。雪崩击穿和齐纳击穿是半导体二极管的两种不同击穿方式，它们在原理和应用上各有特点。雪崩击穿发生在反向电压接近击穿电压UB时，空间电荷区内电场增强，载流子能量增加。

齐纳二极管中为什么雪崩击穿的反向击穿电压值具有正温度系数

齐纳击穿和雪崩击穿是不同的机理，前者是负温度系数，后者是正温度系数。齐纳击穿是在重掺杂情况下，击穿电压随温度升高而降低，因为温度升高，能隙减小，因而在较高的温度下，加较小的反向电压就能达到给定的击穿电流。

杂质大电荷密度就大）PN结反向击穿有齐纳击穿和雪崩击穿，一般两种击穿同时存在，但在电压低于5－6V时的击穿以齐纳击穿为主，而电压高于5－6V时的击穿以雪崩击穿为主。两者的区别对于稳压管来说，主要是：电压低于5－6V的稳压管，齐纳击穿为主，稳压值的温度系数为负。

当反向电压足够大时，PN节的内电场加强，使少子漂移速度加快，动能增大，通过空间电荷区与原子相撞，产生很多的新电子—空穴对，这些新产生的电子又会去撞击更多的原子，这种作用如同雪崩一样，使电流急剧增加，故这种击穿被称为雪崩击穿。

所以齐纳击穿电压随温度升高而降低，具有负的温度系数。雪崩击穿都发生在掺杂浓度较低的PN结中。这种结的阻挡层很宽，随着反向电压的增大，阻挡层内部的电场增强，通过阻挡层的载流子在电场作用下的漂移速度加快，动能增大。

时，温度增加使晶格原子振动幅度加大，阻碍了载流子的运动。这种情况下，只有增加反向电压，才能发生雪崩击穿，因此雪崩击穿的电压温度系数是正的。这就是为什么稳压值为15V的稳压管其稳压值随温度逐渐增大的，而稳压值为5V的稳压管其稳压值随温度逐渐减小的原因。指稳压管产生稳定电压时通过该管的电流值。

错误。反向电流是少数载流子形成的电流，对温度很敏感，温度升高，反向电流增大，反向击穿电压降低。

稳压管齐纳击穿的原理是什么?

1、稳压二极管齐纳击穿后，其两端电压值非常稳定，即使流过稳压二极管的电流发生较大的变化，两端电压变化量也非常小，表现出很好的稳压特性。

2、工作原理不同：稳压二极管是利用PN结反向击穿状态，其电流可在很大范围内变化，而电压却基本不变。齐纳二极管是利用PN结的齐纳击穿原理工作的，其电压在一定范围内发生很大变化，而电流的变化却很小。用途不同：稳压二极管主要用于电路中作为基准电压源、稳压管、温度补偿、浪涌保护、电子测量等。

3、齐纳击穿发生在高掺杂浓度的PN结中，当反向电压增大时，强电场直接产生大量电子-空穴对，使反向电流激增。这种击穿通常在温度较高时，击穿电压下降，即齐纳击穿具有负的温度系数。雪崩击穿和齐纳击穿的区别在于，通常在电压低于5-6V时以齐纳击穿为主，在电压高于此值时以雪崩击穿为主。

4、PN结的反向击穿通常包含雪崩和齐纳两种形式，低电压时以齐纳击穿为主，而高电压则主要表现为雪崩击穿。比如，稳压管在5-6V电压范围内，两种击穿现象较为平衡，这也是许多电路设计中选择这个电压范围的原因。稳压管在此区间内反应适中，适合对速度要求不高的场合。

5、齐纳二极管是由美国物理学家Clarence Melvin Zener发明的，他首次描述了齐纳二极管的反向击穿特性。齐纳二极管被重度掺杂以降低击穿电压，这导致了一个非常薄的耗尽区域，因此在耗尽区域内存在一个强电场。在齐纳击穿电压（VZ）附近，电场的强度足以将电子从其价带中拉出来并产生电流。

6、杂质大电荷密度就大）PN结反向击穿有齐纳击穿和雪崩击穿，一般两种击穿同时存在，但在电压低于5－6V时的击穿以齐纳击穿为主，而电压高于5－6V时的击穿以雪崩击穿为主。两者的区别对于稳压管来说，主要是：电压低于5－6V的稳压管，齐纳击穿为主，稳压值的温度系数为负。